半导体器件的制作方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410363920.X

申请日：

2014-07-28

公开(公告)号：

CN105336681A

公开(公告)日：

2016-02-17

发明(设计)人：

贺吉伟王刚宁朱岩岩刘丽冯喆韻蒲贤勇孙涛

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2177

IPC分类号：

H01L21768

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司 11240

代理人：

吴贵明;张永明

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-04	授权	授权
2016-02-17	公开	公开
2016-03-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101650132092 IPC(主分类):H01L 21/77 专利申请号:201410363920X 申请日:20140728

共 50 条

[1]

半导体器件制作方法及半导体器件 [P].

运广涛 ;

苏圣哲 ;

罗钦贤 ;

赫文振 ;

周纪 .

中国专利 :CN120730802B ,2025-11-25

[2]

半导体器件制作方法及半导体器件 [P].

运广涛 ;

苏圣哲 ;

罗钦贤 ;

赫文振 ;

周纪 .

中国专利 :CN120730802A ,2025-09-30

[3]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

张金霜 ;

李绍斌 ;

杨芸 .

中国专利 :CN105575799B ,2016-05-11

[4]

半导体器件及半导体器件的制作方法 [P].

杨冬 ;

顾子琨 ;

苏奕哲 ;

谢明达 ;

白雅桀 .

中国专利 :CN119384881A ,2025-01-28

[5]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

蒲月皎 ;

宋化龙 .

中国专利 :CN105261557A ,2016-01-20

[6]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

肖梦 ;

刘隆冬 ;

吴建中 ;

长江 .

中国专利 :CN114005837A ,2022-02-01

[7]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

李思晢 .

中国专利 :CN112310105B ,2021-02-02

[8]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

李劲昊 .

中国专利 :CN114446881A ,2022-05-06

[9]

半导体器件的电极制作方法及半导体器件 [P].

李增林 ;

王国斌 ;

李利哲 .

中国专利 :CN114284413A ,2022-04-05

[10]

半导体器件制作方法及半导体器件 [P].

周玉 ;

刘天建 ;

胡胜 ;

赵长林 ;

胡杏 .

中国专利 :CN109166822A ,2019-01-08

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