半导体器件的电极制作方法及半导体器件

被引：0

申请号：

CN202111646390.6

申请日：

2021-12-30

公开(公告)号：

CN114284413A

公开(公告)日：

2022-04-05

发明(设计)人：

李增林王国斌李利哲

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室

IPC主分类号：

H01L3340

IPC分类号：

H01L3338 H01L3344

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王锋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/40 申请日:20211230
2022-04-05	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件制作方法及半导体器件 [P].

运广涛 ;

苏圣哲 ;

罗钦贤 ;

赫文振 ;

周纪 .

中国专利 :CN120730802B ,2025-11-25

[2]

半导体器件制作方法及半导体器件 [P].

运广涛 ;

苏圣哲 ;

罗钦贤 ;

赫文振 ;

周纪 .

中国专利 :CN120730802A ,2025-09-30

[3]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

张金霜 ;

李绍斌 ;

杨芸 .

中国专利 :CN105575799B ,2016-05-11

[4]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

贺吉伟 ;

王刚宁 ;

朱岩岩 ;

刘丽 ;

冯喆韻 ;

蒲贤勇 ;

孙涛 .

中国专利 :CN105336681A ,2016-02-17

[5]

半导体器件及半导体器件的制作方法 [P].

杨冬 ;

顾子琨 ;

苏奕哲 ;

谢明达 ;

白雅桀 .

中国专利 :CN119384881A ,2025-01-28

[6]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

蒲月皎 ;

宋化龙 .

中国专利 :CN105261557A ,2016-01-20

[7]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

肖梦 ;

刘隆冬 ;

吴建中 ;

长江 .

中国专利 :CN114005837A ,2022-02-01

[8]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

李思晢 .

中国专利 :CN112310105B ,2021-02-02

[9]

半导体器件的制作方法及半导体器件 [P].

李劲昊 .

中国专利 :CN114446881A ,2022-05-06

[10]

半导体器件制作方法及半导体器件 [P].

周玉 ;

刘天建 ;

胡胜 ;

赵长林 ;

胡杏 .

中国专利 :CN109166822A ,2019-01-08

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