相变存储器单元结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202180000265.X

申请日：

2021-01-14

公开(公告)号：

CN112840459A

公开(公告)日：

2021-05-25

发明(设计)人：

刘峻

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室

IPC主分类号：

H01L2724

IPC分类号：

代理机构：

北京永新同创知识产权代理有限公司 11376

代理人：

林锦辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-25	公开	公开
2021-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/24 申请日:20210114

共 50 条

[1]

纵向相变存储器单元及其制造方法 [P].

卢多维克·古克斯 ;

德克·J·C·C·M·武泰斯 ;

朱迪思·G·里索尼·雷耶斯 ;

托马斯·吉勒 .

中国专利 :CN101461071A ,2009-06-17

[2]

相变存储器结构及其制造方法 [P].

吴昭谊 .

中国专利 :CN109698269A ,2019-04-30

[3]

相变存储器单元和用于制造相变存储器单元的方法 [P].

P·祖里亚尼 ;

G·孔法洛涅里 ;

A·吉拉尔迪尼 ;

C·L·佩瑞里尼 .

中国专利 :CN107546324A ,2018-01-05

[4]

相变存储器单元结构、相变存储器单元及其形成方法 [P].

黄洸汉 ;

杨智超 ;

J·C·阿诺德 ;

L·L·赫萨 ;

M·C·盖迪斯 ;

T·J·多尔顿 ;

C·J·拉登斯 ;

L·A·克莱文杰 .

中国专利 :CN101047230A ,2007-10-03

[5]

相变存储器、存储器单元的隔离结构以及制造方法 [P].

万旭东 ;

吴关平 ;

严博 ;

张超 ;

徐佳 .

中国专利 :CN102024839A ,2011-04-20

[6]

热优化相变存储器单元及其制造方法 [P].

马蒂亚·博尼亚蒂 ;

安德烈亚·雷达埃利 .

美国专利 :CN108630723B ,2024-05-07

[7]

多层级相变存储器单元及其制造方法 [P].

R·鲁伊斯 ;

万雷 ;

J·里德 ;

白肇强 ;

M·阿波达卡 .

中国专利 :CN113169272A ,2021-07-23

[8]

热优化相变存储器单元及其制造方法 [P].

马蒂亚·博尼亚蒂 ;

安德烈亚·雷达埃利 .

中国专利 :CN108630723A ,2018-10-09

[9]

热优化相变存储器单元及其制造方法 [P].

马蒂亚·博尼亚蒂 ;

安德烈亚·雷达埃利 .

中国专利 :CN105229786A ,2016-01-06

[10]

超晶格相变结构及其制造方法、相变存储器 [P].

杨红心 ;

周凌珺 ;

刘峻 .

中国专利 :CN114792754A ,2022-07-26

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