相变存储器、存储器单元的隔离结构以及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910195629.5

申请日：

2009-09-11

公开(公告)号：

CN102024839A

公开(公告)日：

2011-04-20

发明(设计)人：

万旭东吴关平严博张超徐佳

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2724

IPC分类号：

H01L2182 H01L21762 H01L21765 H01L21265

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-19	授权	授权
2012-12-05	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101480147572 IPC(主分类):H01L 27/24 专利申请号:2009101956295 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20121102
2011-04-20	公开	公开
2011-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101077292215 IPC(主分类):H01L 27/24 专利申请号:2009101956295 申请日:20090911

共 50 条

[1]

相变存储器单元和用于制造相变存储器单元的方法 [P].

P·祖里亚尼 ;

G·孔法洛涅里 ;

A·吉拉尔迪尼 ;

C·L·佩瑞里尼 .

中国专利 :CN107546324A ,2018-01-05

[2]

存储器单元结构、制造存储器的方法以及存储器设备 [P].

梅林拓 ;

助川俊一 ;

横山孝司 ;

细见政功 ;

肥后丰 .

中国专利 :CN105659376A ,2016-06-08

[3]

相变存储器以及相变存储器的制造方法 [P].

刘峻 .

中国专利 :CN112234141B ,2021-01-15

[4]

相变存储器单元的双沟槽隔离结构及其制造方法 [P].

丹尼尔·徐 .

中国专利 :CN1533606A ,2004-09-29

[5]

存储器单元、阵列、以及制造存储器单元的方法 [P].

杜尚·葛鲁伯维奇 .

中国专利 :CN102460706A ,2012-05-16

[6]

相变存储器单元以及存储器设备 [P].

M·阿莱格拉 ;

A·雷达埃利 .

:CN222941178U ,2025-06-03

[7]

相变存储器单元结构及其制造方法 [P].

刘峻 .

中国专利 :CN112840459A ,2021-05-25

[8]

相变存储器的制造方法 [P].

何其旸 ;

张翼英 .

中国专利 :CN102810631A ,2012-12-05

[9]

相变存储器的制造方法 [P].

何其旸 ;

张翼英 .

中国专利 :CN102956817B ,2013-03-06

[10]

相变存储器的制造方法 [P].

陈庆鸿 ;

邱宗钰 ;

王志远 .

中国专利 :CN119053157A ,2024-11-29

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