相变存储器的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411052916.1

申请日：

2024-08-01

公开(公告)号：

CN119053157A

公开(公告)日：

2024-11-29

发明(设计)人：

陈庆鸿邱宗钰王志远

申请人：

北京时代全芯存储技术股份有限公司

申请人地址：

100088 北京市海淀区西土城路1号院6号楼4层405

IPC主分类号：

H10B63/10

IPC分类号：

H10B63/00

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 63/10申请日:20240801
2024-12-20	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移IPC(主分类):H10B 63/10登记生效日:20241209变更事项:申请人变更前权利人:北京时代全芯存储技术股份有限公司变更后权利人:北京时代全芯存储技术股份有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:100094 北京市海淀区丰豪东路9号院中关村集成电路设计园2D座802变更后权利人:100088 北京市海淀区西土城路1号院6号楼4层405变更事项:申请人变更后权利人:北京时代全芯存储科技有限公司变更事项:国家或地区变更后权利人:中国
2024-11-29	公开	公开

共 50 条

[1]

相变存储器的下电极的制造方法 [P].

谷丹 ;

周成龙 ;

邱宗钰 ;

王康康 ;

颜士旭 ;

鲍利波 ;

周颜 .

中国专利 :CN118872405A ,2024-10-29

[2]

相变存储器的相变材料层的蚀刻方法 [P].

王志远 ;

羊卫 ;

陈庆鸿 .

中国专利 :CN121038594A ,2025-11-28

[3]

相变随机存储器的制造方法 [P].

任万春 ;

向阳辉 ;

宋志堂 ;

刘波 .

中国专利 :CN102468428A ,2012-05-23

[4]

相变随机存储器的制造方法 [P].

任万春 ;

向阳辉 ;

张彬 ;

宋志棠 .

中国专利 :CN102468429A ,2012-05-23

[5]

相变存储器的制造方法 [P].

何其旸 ;

张翼英 .

中国专利 :CN102810631A ,2012-12-05

[6]

相变存储器及其制造方法 [P].

申雄澈 .

中国专利 :CN101232036B ,2008-07-30

[7]

相变存储器及其制造方法 [P].

雅典波罗 ;

鞠韶复 ;

刘峻 ;

杨红心 ;

杨艳娟 .

中国专利 :CN113871529A ,2021-12-31

[8]

相变存储器及其制造方法 [P].

李莹 ;

吴关平 ;

任佳栋 .

中国专利 :CN103296050A ,2013-09-11

[9]

相变存储器的制造方法 [P].

张翼英 ;

何其旸 .

中国专利 :CN102447060A ,2012-05-09

[10]

相变存储器的制造方法 [P].

何其旸 ;

张翼英 .

中国专利 :CN102956817B ,2013-03-06

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