相变存储器的相变材料层的蚀刻方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511292623.5

申请日：

2025-09-10

公开(公告)号：

CN121038594A

公开(公告)日：

2025-11-28

发明(设计)人：

王志远羊卫陈庆鸿

申请人：

北京时代全芯存储技术股份有限公司北京时代全芯存储科技有限公司

申请人地址：

100088 北京市海淀区西土城路1号院6号楼4层405

IPC主分类号：

H10N70/20

IPC分类号：

H10N70/00 H10B63/10

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-28	公开	公开
2025-12-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/20申请日:20250910

共 50 条

[1]

相变存储器相变层的制作方法 [P].

林静 ;

钟旻 ;

杨伟俊 ;

向阳辉 .

中国专利 :CN102376884A ,2012-03-14

[2]

相变存储器的制造方法 [P].

陈庆鸿 ;

邱宗钰 ;

王志远 .

中国专利 :CN119053157A ,2024-11-29

[3]

用于相变存储器的相变材料 [P].

任堃 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

彭程 ;

宋宏甲 ;

刘波 .

中国专利 :CN103050621A ,2013-04-17

[4]

用于相变存储器的相变材料 [P].

任堃 ;

饶峰 ;

宋志棠 ;

刘波 .

中国专利 :CN103050620A ,2013-04-17

[5]

相变存储器的制备方法和相变存储器 [P].

廖昱程 .

中国专利 :CN115443537A ,2022-12-06

[6]

相变材料层的刻蚀方法 [P].

王志远 ;

邱宗钰 ;

陈庆鸿 .

中国专利 :CN118901298A ,2024-11-05

[7]

相变存储器单元的制备方法、相变材料及相变存储器单元 [P].

程国胜 ;

张杰 ;

孔涛 ;

黄荣 ;

卫芬芬 .

中国专利 :CN103904215A ,2014-07-02

[8]

相变存储器的制备方法 [P].

伏广才 ;

李志超 ;

周耀辉 .

中国专利 :CN107305924A ,2017-10-31

[9]

用于相变存储器的SiSb基相变薄膜材料 [P].

冯洁 ;

张胤 ;

蔡炳初 ;

陈邦明 .

中国专利 :CN101132049A ,2008-02-27

[10]

相变材料层、相变存储器单元及其制备方法 [P].

宋志棠 ;

丁科元 ;

饶峰 .

中国专利 :CN106654005A ,2017-05-10

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