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相变材料层的刻蚀方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202280092779.7
申请日：
2023-10-07
公开(公告)号：
CN118901298A
公开(公告)日：
2024-11-05
发明(设计)人：
王志远
邱宗钰
陈庆鸿
申请人：
北京时代全芯存储技术股份有限公司
美国时代全芯有限公司
申请人地址：
100088 北京市海淀区西土城路1号院6号楼4层405
IPC主分类号：
H10N70/00
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
专利申请权、专利权的转移
国省代码：
北京市
市辖区
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-12-20 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利申请权的转移IPC(主分类):H10N 70/00登记生效日:20241204变更事项:申请人变更前权利人:北京时代全芯存储技术股份有限公司变更后权利人:北京时代全芯存储技术股份有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:100088 北京市海淀区西土城路1号院6号楼4层405变更后权利人:100088 北京市海淀区西土城路1号院6号楼4层405变更事项:申请人变更前权利人:美国时代全芯有限公司变更后权利人:美国时代全芯有限公司 北京时代全芯存储科技有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:美国变更后权利人:美国 中国 |
| 2024-11-05 | 公开 | 公开 |
| 2024-11-22 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10N 70/00申请日:20231007 |