制造集成半导体存储装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01821615.3

申请日：

2001-12-14

公开(公告)号：

CN1248315C

公开(公告)日：

2004-03-24

发明(设计)人：

M·卡斯特纳 T·米科拉杰克

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

H01L218242

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

吴立明;张志醒

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-06-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2004-03-24	公开	公开
2006-03-29	授权	授权
2010-02-10	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)

共 50 条

[1]

制造集成半导体存储装置的方法 [P].

G·欣德勒 ;

W·哈特纳 ;

C·马祖雷－埃斯佩佐 .

中国专利 :CN1160777C ,1999-10-13

[2]

集成半导体存储装置的制造方法及相应的半导体存储装置 [P].

罗尔夫·魏斯 .

中国专利 :CN101241880A ,2008-08-13

[3]

集成半导体存储装置 [P].

G·欣德勒 ;

W·哈特纳 ;

F·兴特迈尔 ;

C·马祖雷－埃斯佩佐 ;

R·布鲁赫豪斯 ;

W·赫恩莱恩 ;

M·恩格尔哈德特 .

中国专利 :CN1241296A ,2000-01-12

[4]

半导体存储装置、半导体存储装置的制造方法及电子装置 [P].

塚本雅则 .

中国专利 :CN111699556A ,2020-09-22

[5]

半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P].

小林茂树 ;

中久保义则 ;

野仲靖孝 .

中国专利 :CN113632230A ,2021-11-09

[6]

半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P].

小林茂树 ;

中久保义则 ;

野仲靖孝 .

日本专利 :CN113632230B ,2024-03-05

[7]

半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法 [P].

高山华梨 ;

菅野裕士 ;

武木田秀人 .

日本专利 :CN116034637B ,2025-12-12

[8]

半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P].

楢崎亮太 .

日本专利 :CN120676624A ,2025-09-19

[9]

半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P].

松本壮太 ;

西村貴仁 .

中国专利 :CN112447750A ,2021-03-05

[10]

半导体存储装置、以及半导体存储装置的制造方法 [P].

野田耕生 .

日本专利 :CN119856582A ,2025-04-18

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