集成半导体存储装置的制造方法及相应的半导体存储装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810006104.8

申请日：

2008-02-03

公开(公告)号：

CN101241880A

公开(公告)日：

2008-08-13

发明(设计)人：

罗尔夫·魏斯

申请人：

申请人地址：

德国慕尼黑

IPC主分类号：

H01L218242

IPC分类号：

H01L21768 H01L27108 H01L23522

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

章社杲;吴贵明

法律状态：

专利权的视为放弃

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-02-02	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃号牌文件类型代码:1606 号牌文件序号:101035093919 IPC(主分类):H01L 21/8242 专利申请号:2008100061048 放弃生效日:20080813
2008-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-08-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P].

小林茂树 ;

中久保义则 ;

野仲靖孝 .

中国专利 :CN113632230A ,2021-11-09

[2]

半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P].

小林茂树 ;

中久保义则 ;

野仲靖孝 .

日本专利 :CN113632230B ,2024-03-05

[3]

半导体存储装置、半导体存储装置的制造方法及电子装置 [P].

塚本雅则 .

中国专利 :CN111699556A ,2020-09-22

[4]

制造集成半导体存储装置的方法 [P].

M·卡斯特纳 ;

T·米科拉杰克 .

中国专利 :CN1248315C ,2004-03-24

[5]

制造集成半导体存储装置的方法 [P].

G·欣德勒 ;

W·哈特纳 ;

C·马祖雷－埃斯佩佐 .

中国专利 :CN1160777C ,1999-10-13

[6]

半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P].

楢崎亮太 .

日本专利 :CN120676624A ,2025-09-19

[7]

半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P].

伊藤孝政 .

日本专利 :CN112447757B ,2024-06-18

[8]

半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法 [P].

伊藤孝政 .

中国专利 :CN112447757A ,2021-03-05

[9]

集成半导体存储装置 [P].

G·欣德勒 ;

W·哈特纳 ;

F·兴特迈尔 ;

C·马祖雷－埃斯佩佐 ;

R·布鲁赫豪斯 ;

W·赫恩莱恩 ;

M·恩格尔哈德特 .

中国专利 :CN1241296A ,2000-01-12

[10]

半导体存储装置、以及半导体存储装置的制造方法 [P].

野田耕生 .

日本专利 :CN119856582A ,2025-04-18

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