氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810002395.7

申请日：

2018-01-02

公开(公告)号：

CN108206139B

公开(公告)日：

2018-06-26

发明(设计)人：

宁策

申请人：

申请人地址：

100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

IPC主分类号：

H01L2144

IPC分类号：

H01L29786

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

姜春咸;冯建基

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-26	公开	公开
2018-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/44 申请日:20180102
2021-09-10	授权	授权

共 50 条

[1]

氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板 [P].

赵舒宁 ;

卓毅 .

中国专利 :CN112420848B ,2021-02-26

[2]

氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板 [P].

刘翔 .

中国专利 :CN104681626A ,2015-06-03

[3]

金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板 [P].

陈晓威 .

中国专利 :CN114678427A ,2022-06-28

[4]

金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板 [P].

姚江波 .

中国专利 :CN105789320A ,2016-07-20

[5]

金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板 [P].

钟德镇 ;

张原豪 .

中国专利 :CN115084277A ,2022-09-20

[6]

氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 [P].

王利忠 ;

周天民 ;

胡合合 ;

董水浪 ;

王文华 ;

姚念琦 .

中国专利 :CN112635570B ,2021-04-09

[7]

氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 [P].

薛大鹏 ;

袁广才 ;

宁策 ;

胡合合 ;

李正亮 ;

王利忠 ;

董水浪 ;

姚念琦 ;

王东方 ;

赵磊 ;

雷利平 .

中国专利 :CN113964191A ,2022-01-21

[8]

氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 [P].

崔贤植 ;

林允植 .

中国专利 :CN103545378A ,2014-01-29

[9]

氧化物薄膜晶体管及包括氧化物薄膜晶体管的阵列基板 [P].

杨熙正 ;

扈源俊 ;

金娥罗 .

中国专利 :CN104681623A ,2015-06-03

[10]

氧化物薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置 [P].

成军 ;

李禹奉 .

中国专利 :CN102683422A ,2012-09-19

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