氧化物薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210138023.X

申请日：

2012-05-04

公开(公告)号：

CN102683422A

公开(公告)日：

2012-09-19

发明(设计)人：

成军李禹奉

申请人：

申请人地址：

100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336 H01L2712 G02F1133

代理机构：

北京中博世达专利商标代理有限公司 11274

代理人：

申健

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-23	授权	授权
2012-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101346520677 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:201210138023X 申请日:20120504

共 50 条

[1]

氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 [P].

刘凤娟 ;

闫梁臣 .

中国专利 :CN104409515A ,2015-03-11

[2]

氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 [P].

薛大鹏 ;

袁广才 ;

宁策 ;

胡合合 ;

李正亮 ;

王利忠 ;

董水浪 ;

姚念琦 ;

王东方 ;

赵磊 ;

雷利平 .

中国专利 :CN113964191A ,2022-01-21

[3]

氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 [P].

崔贤植 ;

林允植 .

中国专利 :CN103545378A ,2014-01-29

[4]

氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 [P].

成军 ;

刘晓娣 .

中国专利 :CN102709327A ,2012-10-03

[5]

一种氧化物薄膜晶体管及制作方法和阵列基板、显示装置 [P].

何璇 ;

吴俊纬 ;

刘兴东 .

中国专利 :CN104716197A ,2015-06-17

[6]

氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板 [P].

赵舒宁 ;

卓毅 .

中国专利 :CN112420848B ,2021-02-26

[7]

氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板 [P].

刘翔 .

中国专利 :CN104681626A ,2015-06-03

[8]

氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板 [P].

宁策 .

中国专利 :CN108206139B ,2018-06-26

[9]

薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 [P].

谢振宇 ;

徐少颖 ;

李田生 ;

阎长江 ;

李靖 ;

田宗民 .

中国专利 :CN103887343B ,2014-06-25

[10]

氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置 [P].

刘翔 .

中国专利 :CN103715264A ,2014-04-09

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