氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410698444.7

申请日：

2014-11-26

公开(公告)号：

CN104409515A

公开(公告)日：

2015-03-11

发明(设计)人：

刘凤娟闫梁臣

申请人：

申请人地址：

100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

H01L2906 H01L2712 H01L2134

代理机构：

北京中博世达专利商标代理有限公司 11274

代理人：

申健

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-11	公开	公开
2015-04-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101604808751 IPC(主分类):H01L 29/786 专利申请号:2014106984447 申请日:20141126
2018-12-21	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/786 申请公布日:20150311

共 50 条

[1]

氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 [P].

崔贤植 ;

林允植 .

中国专利 :CN103545378A ,2014-01-29

[2]

氧化物薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置 [P].

成军 ;

李禹奉 .

中国专利 :CN102683422A ,2012-09-19

[3]

氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 [P].

成军 ;

刘晓娣 .

中国专利 :CN102709327A ,2012-10-03

[4]

氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 [P].

薛大鹏 ;

袁广才 ;

宁策 ;

胡合合 ;

李正亮 ;

王利忠 ;

董水浪 ;

姚念琦 ;

王东方 ;

赵磊 ;

雷利平 .

中国专利 :CN113964191A ,2022-01-21

[5]

一种氧化物薄膜晶体管及制作方法和阵列基板、显示装置 [P].

何璇 ;

吴俊纬 ;

刘兴东 .

中国专利 :CN104716197A ,2015-06-17

[6]

氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板 [P].

赵舒宁 ;

卓毅 .

中国专利 :CN112420848B ,2021-02-26

[7]

氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板 [P].

刘翔 .

中国专利 :CN104681626A ,2015-06-03

[8]

氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板 [P].

宁策 .

中国专利 :CN108206139B ,2018-06-26

[9]

薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 [P].

朱夏明 .

中国专利 :CN106328592A ,2017-01-11

[10]

薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置 [P].

姜春生 ;

方婧斐 .

中国专利 :CN103236402B ,2013-08-07

← 1 2 3 4 5 →