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一种高介电性能聚偏氟乙烯复合材料的制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202011162944.0
申请日
:
2020-10-27
公开(公告)号
:
CN112358231A
公开(公告)日
:
2021-02-12
发明(设计)人
:
付伟
王道军
王玉龙
申请人
:
申请人地址
:
230000 安徽省合肥市高新区创新大道2688号中新大厦11层1102-C138
IPC主分类号
:
C04B2608
IPC分类号
:
C04B1436
C08L2716
C08K322
C04B11192
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-03-05
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 26/08 申请日:20201027
2021-02-12
公开
公开
2022-04-05
发明专利申请公布后的撤回
发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C04B 26/08 申请公布日:20210212
共 50 条
[1]
一种高介电聚偏氟乙烯复合材料的制备方法
[P].
余立架
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余立架
;
李伟平
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李伟平
;
诸跃进
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诸跃进
;
罗来慧
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罗来慧
.
中国专利
:CN101885886A
,2010-11-17
[2]
一种高介电铜/聚偏氟乙烯复合材料的制备方法
[P].
余丁山
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余丁山
;
郑敏珍
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郑敏珍
;
曹长林
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曹长林
;
陈潇川
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陈潇川
;
陈旭东
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0
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陈旭东
.
中国专利
:CN110804267B
,2020-02-18
[3]
一种高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料的制备方法
[P].
刘晓旭
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刘晓旭
;
李彦鹏
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李彦鹏
;
李娜
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李娜
;
闫凯
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闫凯
;
岳东
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岳东
.
中国专利
:CN108003520B
,2018-05-08
[4]
一种高介电性能的铌酸钠/聚偏氟乙烯复合材料及其制备方法
[P].
张沛红
论文数:
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张沛红
;
高旭呈
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高旭呈
;
陈雪松
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陈雪松
.
中国专利
:CN109942995A
,2019-06-28
[5]
聚偏氟乙烯基复合材料的制备方法
[P].
迟庆国
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迟庆国
;
马涛
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马涛
;
高亮
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高亮
;
刘刚
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刘刚
;
王暄
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王暄
;
雷清泉
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雷清泉
.
中国专利
:CN104985738A
,2015-10-21
[6]
聚偏氟乙烯高介电膜
[P].
翁凌
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翁凌
;
李红霞
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李红霞
;
马成国
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0
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马成国
.
中国专利
:CN204303756U
,2015-04-29
[7]
一种聚偏氟乙烯复合材料
[P].
不公告发明人
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0
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0
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0
不公告发明人
.
中国专利
:CN107674348A
,2018-02-09
[8]
一种聚偏氟乙烯复合材料
[P].
不公告发明人
论文数:
0
引用数:
0
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0
不公告发明人
.
中国专利
:CN107652589A
,2018-02-02
[9]
一种聚偏氟乙烯/聚酰亚胺复合材料的制备方法
[P].
周雨薇
论文数:
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0
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0
周雨薇
.
中国专利
:CN113736258A
,2021-12-03
[10]
聚偏氟乙烯多孔复合介电材料的制备方法
[P].
胡玲
论文数:
0
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0
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胡玲
.
中国专利
:CN108276711A
,2018-07-13
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