一种高介电铜/聚偏氟乙烯复合材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911143573.9

申请日：

2019-11-20

公开(公告)号：

CN110804267B

公开(公告)日：

2020-02-18

发明(设计)人：

余丁山郑敏珍曹长林陈潇川陈旭东

申请人：

申请人地址：

510275 广东省广州市海珠区新港西路135号

IPC主分类号：

C08L2716

IPC分类号：

C08K904 C08K308 C08J518

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

孙凤侠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C08L 27/16 申请日:20191120
2020-12-25	授权	授权
2020-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高介电聚偏氟乙烯复合材料的制备方法 [P].

余立架 ;

李伟平 ;

诸跃进 ;

罗来慧 .

中国专利 :CN101885886A ,2010-11-17

[2]

一种高介电性能聚偏氟乙烯复合材料的制备方法 [P].

付伟 ;

王道军 ;

王玉龙 .

中国专利 :CN112358231A ,2021-02-12

[3]

高介电常数低介电损耗聚偏二氟乙烯复合材料的制备方法 [P].

王勇 ;

黄婷 ;

徐宪玲 ;

杨静晖 ;

张楠 .

中国专利 :CN106751243A ,2017-05-31

[4]

一种高介电性能聚偏氟乙烯碳化钛纳米片复合材料的制备方法 [P].

刘晓旭 ;

李彦鹏 ;

李娜 ;

闫凯 ;

岳东 .

中国专利 :CN108003520B ,2018-05-08

[5]

一种高介电性能的铌酸钠/聚偏氟乙烯复合材料及其制备方法 [P].

张沛红 ;

高旭呈 ;

陈雪松 .

中国专利 :CN109942995A ,2019-06-28

[6]

一种铌酸钾/聚偏氟乙烯高介电复合材料的制备方法 [P].

侯育冬 ;

葛海燕 ;

朱满康 ;

刘晶冰 ;

王如志 ;

张铭 ;

宋雪梅 ;

汪浩 ;

严辉 .

中国专利 :CN102875939A ,2013-01-16

[7]

一种聚偏氟乙烯复合材料 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN107674348A ,2018-02-09

[8]

一种聚偏氟乙烯复合材料 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN107652589A ,2018-02-02

[9]

氧化石墨/聚偏氟乙烯复合材料的制备方法 [P].

沙冰娟 .

中国专利 :CN109096660A ,2018-12-28

[10]

聚偏氟乙烯多孔复合介电材料的制备方法 [P].

胡玲 .

中国专利 :CN108276711A ,2018-07-13

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