一种铌酸钾/聚偏氟乙烯高介电复合材料的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210404713.5

申请日：

2012-10-22

公开(公告)号：

CN102875939A

公开(公告)日：

2013-01-16

发明(设计)人：

侯育冬葛海燕朱满康刘晶冰王如志张铭宋雪梅汪浩严辉

申请人：

申请人地址：

100124 北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

C08L2716

IPC分类号：

C08K324 B29B774 B29B1100 B29C5118 B29C5146

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司 11203

代理人：

张慧

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-03	授权	授权
2013-01-16	公开	公开
2013-02-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101401521823 IPC(主分类):C08L 27/16 专利申请号:2012104047135 申请日:20121022

共 50 条

[1]

一种铁钛铌/聚偏氟乙烯高介电复合材料及其制备方法 [P].

侯育冬 ;

付靖 ;

韦俏伊 ;

郑木鹏 ;

朱满康 ;

严辉 .

中国专利 :CN104927254B ,2015-09-23

[2]

一种聚偏氟乙烯基介电复合材料、复合薄膜及其制备方法 [P].

王海连 ;

周晓勇 ;

卢泉轩 ;

陈振华 ;

邵春明 ;

蔡怀勋 ;

王曼婷 .

中国专利 :CN119320540A ,2025-01-17

[3]

一种高介电聚偏氟乙烯复合材料的制备方法 [P].

余立架 ;

李伟平 ;

诸跃进 ;

罗来慧 .

中国专利 :CN101885886A ,2010-11-17

[4]

聚偏氟乙烯介电复合薄膜及其制备方法 [P].

王海军 ;

张玲 .

中国专利 :CN118852690A ,2024-10-29

[5]

一种高介电铜/聚偏氟乙烯复合材料的制备方法 [P].

余丁山 ;

郑敏珍 ;

曹长林 ;

陈潇川 ;

陈旭东 .

中国专利 :CN110804267B ,2020-02-18

[6]

一种制备钨酸铋/聚偏氟乙烯复合材料的方法 [P].

王海军 ;

李金祥 ;

王学川 ;

王帅毅 .

中国专利 :CN104877277A ,2015-09-02

[7]

一种碳纳米管/石墨烯/聚偏氟乙烯介电复合材料及其制备方法 [P].

孟繁玲 ;

方晨宇 ;

孟凡博 .

中国专利 :CN113555217A ,2021-10-26

[8]

一种钛酸钡/聚偏氟乙烯复合材料的制备方法 [P].

王磊 ;

王广胜 ;

林铖智 ;

蔡阳伦 ;

林楚宏 ;

矫庆泽 ;

郭冰之 ;

关晓辉 ;

鲁敏 .

中国专利 :CN108440877A ,2018-08-24

[9]

一种高介电性能聚偏氟乙烯复合材料的制备方法 [P].

付伟 ;

王道军 ;

王玉龙 .

中国专利 :CN112358231A ,2021-02-12

[10]

聚偏氟乙烯介电复合薄膜及其制备方法和应用 [P].

王海军 ;

余倩倩 ;

马伊莎 .

中国专利 :CN118852691A ,2024-10-29

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