Cu2ZnSnS4纳米颗粒的溶剂热法制备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110148209.9

申请日：

2011-06-03

公开(公告)号：

CN102807251A

公开(公告)日：

2012-12-05

发明(设计)人：

谭付瑞曲胜春王占国屈盛

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

C01G1900

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-14	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101709900967 IPC(主分类):C01G 19/00 专利申请号:2011101482099 申请公布日:20121205
2012-12-05	公开	公开

共 50 条

[1]

一种Cu2ZnSnS4的水热制备法及其Cu2ZnSnS4材料和用途 [P].

宰建陶 ;

陈福昆 ;

钱雪峰 ;

黄守双 ;

徐淼 ;

林田茂 ;

浅野直纪 .

中国专利 :CN103359777B ,2013-10-23

[2]

单晶亚微米级Cu2ZnSnS4颗粒的高温溶剂热制备方法及应用 [P].

陶杰 ;

陈善龙 ;

陶海军 ;

沈一洲 ;

朱露敏 ;

曾小飞 ;

蒋佳佳 .

中国专利 :CN104264211B ,2015-01-07

[3]

溶剂热法一步合成超长纤锌矿结构Cu2ZnSnS4纳米棒的制备方法 [P].

曹萌 ;

张庆 ;

高王升 ;

王林军 ;

沈悦 .

中国专利 :CN105197985A ,2015-12-30

[4]

微波溶剂热合成Cu2ZnSnS4半导体材料的方法 [P].

龙飞 ;

曾彦 ;

邹正光 ;

王东生 .

中国专利 :CN102557117A ,2012-07-11

[5]

一种超声辅助微波可控制备Cu2ZnSnS4纳米颗粒的方法 [P].

沈鸿烈 ;

王威 ;

金佳乐 .

中国专利 :CN103420411A ,2013-12-04

[6]

晶相可控的单分散Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法 [P].

季书林 ;

叶长辉 ;

邱晓东 ;

张煜欣 .

中国专利 :CN102642864A ,2012-08-22

[7]

一种溶剂热法制备Cu3P纳米片的方法 [P].

曹丽云 ;

王勇 ;

黄剑锋 ;

寇领江 ;

李嘉胤 .

中国专利 :CN110085861A ,2019-08-02

[8]

一种Cu2ZnSnS4半导体薄膜的制备方法及其应用 [P].

魏爱香 ;

颜志强 ;

招瑜 ;

刘俊 ;

陶万库 .

中国专利 :CN104393103A ,2015-03-04

[9]

非有机包覆的晶相可控Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法 [P].

季书林 ;

叶长辉 ;

邱晓东 .

中国专利 :CN102674436B ,2012-09-19

[10]

一种ZnO/CdS/Cu2ZnSnS4 pn 结纳米棒阵列的制备方法 [P].

王春瑞 ;

刘旭 ;

徐靖 ;

张瑶 ;

陈效双 ;

赵旭熠 ;

莫志伟 .

中国专利 :CN103066154A ,2013-04-24

← 1 2 3 4 5 →