非有机包覆的晶相可控Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210156367.3

申请日：

2012-05-18

公开(公告)号：

CN102674436B

公开(公告)日：

2012-09-19

发明(设计)人：

季书林叶长辉邱晓东

申请人：

申请人地址：

230031 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号

IPC主分类号：

C01G1900

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

北京凯特来知识产权代理有限公司 11260

代理人：

郑立明;赵镇勇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-27	授权	授权
2012-09-19	公开	公开
2012-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101346528630 IPC(主分类):C01G 19/00 专利申请号:2012101563673 申请日:20120518

共 50 条

[1]

晶相可控的单分散Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法 [P].

季书林 ;

叶长辉 ;

邱晓东 ;

张煜欣 .

中国专利 :CN102642864A ,2012-08-22

[2]

Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法 [P].

刘玉峰 ;

陈鑫 ;

葛美英 ;

吴杰 ;

孙艳 ;

戴宁 .

中国专利 :CN101798108B ,2010-08-11

[3]

Cu2ZnSnS4纳米晶材料的可控制备方法 [P].

刘曰利 ;

陈克强 ;

陈文 ;

周静 .

中国专利 :CN106629820A ,2017-05-10

[4]

Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜的水浴制备方法 [P].

李亮 ;

曹萌 ;

裴本花 ;

沈悦 ;

王林军 .

中国专利 :CN102275980B ,2011-12-14

[5]

一种超细纳米晶Cu2ZnSnS4的制备方法 [P].

汪浩 ;

郑慧娟 ;

栗晓辰 ;

孙玉绣 ;

刘晶冰 ;

严辉 ;

朱满康 ;

王如志 ;

侯育冬 ;

张铭 .

中国专利 :CN103408065A ,2013-11-27

[6]

一种纤锌矿Cu2ZnSnS4纳米晶的大规模制备方法 [P].

甘国友 ;

邹屏翰 ;

沈韬 ;

朱艳 ;

胡永茂 .

中国专利 :CN106395886A ,2017-02-15

[7]

Cu2ZnSnS4纳米颗粒的溶剂热法制备 [P].

谭付瑞 ;

曲胜春 ;

王占国 ;

屈盛 .

中国专利 :CN102807251A ,2012-12-05

[8]

一种Cu2ZnSnS4纳米晶薄膜太阳能电池的制备方法 [P].

胡俊青 ;

田启威 ;

陈志钢 ;

唐明华 ;

徐晓峰 ;

邹儒佳 ;

孙彦刚 ;

吴江红 ;

张震宇 ;

胡向华 ;

彭彦玲 ;

蒋扉然 .

中国专利 :CN102201498A ,2011-09-28

[9]

Cu2CdSnS4纳米晶的制备方法 [P].

刘玉峰 ;

陈鑫 ;

葛美英 ;

吴杰 ;

孙艳 ;

戴宁 .

中国专利 :CN101905901A ,2010-12-08

[10]

Cu2CdSnSe4纳米晶的制备方法 [P].

刘玉峰 ;

陈鑫 ;

葛美英 ;

吴杰 ;

孙艳 ;

戴宁 .

中国专利 :CN101823702A ,2010-09-08

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