一种超细纳米晶Cu2ZnSnS4的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310203136.8

申请日：

2013-05-28

公开(公告)号：

CN103408065A

公开(公告)日：

2013-11-27

发明(设计)人：

汪浩郑慧娟栗晓辰孙玉绣刘晶冰严辉朱满康王如志侯育冬张铭

申请人：

申请人地址：

100124 北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

C01G1900

IPC分类号：

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司 11203

代理人：

张慧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-11-27	公开	公开
2016-01-20	授权	授权
2013-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101555321838 IPC(主分类):C01G 19/00 专利申请号:2013102031368 申请日:20130528

共 50 条

[1]

Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法 [P].

刘玉峰 ;

陈鑫 ;

葛美英 ;

吴杰 ;

孙艳 ;

戴宁 .

中国专利 :CN101798108B ,2010-08-11

[2]

Cu2ZnSnS4纳米晶材料的可控制备方法 [P].

刘曰利 ;

陈克强 ;

陈文 ;

周静 .

中国专利 :CN106629820A ,2017-05-10

[3]

晶相可控的单分散Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法 [P].

季书林 ;

叶长辉 ;

邱晓东 ;

张煜欣 .

中国专利 :CN102642864A ,2012-08-22

[4]

Cu2ZnSnS4或Cu2CdSnS4纳米晶薄膜的水浴制备方法 [P].

李亮 ;

曹萌 ;

裴本花 ;

沈悦 ;

王林军 .

中国专利 :CN102275980B ,2011-12-14

[5]

一种Cu2ZnSnS4纳米晶薄膜太阳能电池的制备方法 [P].

胡俊青 ;

田启威 ;

陈志钢 ;

唐明华 ;

徐晓峰 ;

邹儒佳 ;

孙彦刚 ;

吴江红 ;

张震宇 ;

胡向华 ;

彭彦玲 ;

蒋扉然 .

中国专利 :CN102201498A ,2011-09-28

[6]

非有机包覆的晶相可控Cu2ZnSnS4纳米晶的制备方法 [P].

季书林 ;

叶长辉 ;

邱晓东 .

中国专利 :CN102674436B ,2012-09-19

[7]

一种p型Cu2ZnSnS4纳米棒的制备方法 [P].

王春瑞 ;

章莎莎 ;

孙林 ;

徐靖 ;

王栋 .

中国专利 :CN104556207A ,2015-04-29

[8]

一种纤锌矿Cu2ZnSnS4纳米晶的大规模制备方法 [P].

甘国友 ;

邹屏翰 ;

沈韬 ;

朱艳 ;

胡永茂 .

中国专利 :CN106395886A ,2017-02-15

[9]

一种Cu2ZnSnS4太阳能吸收层材料的制备方法 [P].

胡俊青 ;

胡向华 ;

陈志钢 ;

田启威 ;

唐明华 ;

彭彦玲 ;

蒋扉然 .

中国专利 :CN102344166A ,2012-02-08

[10]

一种非注射法高温液相制备Cu2ZnSnS4的方法 [P].

胡俊青 ;

田启威 ;

陈志钢 ;

宋岳林 ;

马冠香 ;

蒋扉然 ;

邹儒佳 ;

吴江红 .

中国专利 :CN101891244A ,2010-11-24

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