半导体装置的制造方法及半导体晶圆

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810159278.1

申请日：

2018-02-26

公开(公告)号：

CN109509703A

公开(公告)日：

2019-03-22

发明(设计)人：

渡边慎也平圭介

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21033

IPC分类号：

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

杨林勳

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-11	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/033 变更事项:申请人变更前:株式会社PANGEA 变更后:东芝存储器株式会社变更事项:地址变更前:日本东京变更后:日本东京
2019-03-22	公开	公开
2019-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/033 申请日:20180226
2022-02-11	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/033 登记生效日:20220126 变更事项:申请人变更前权利人:东芝存储器株式会社变更后权利人:株式会社PANGEA 变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本东京
2022-02-11	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/033 变更事项:申请人变更前:东芝存储器株式会社变更后:铠侠股份有限公司变更事项:地址变更前:日本东京变更后:日本东京

共 50 条

[1]

半导体装置、半导体晶圆及半导体装置制造方法 [P].

柳田正道 ;

松浦伸悌 .

中国专利 :CN108735799A ,2018-11-02

[2]

半导体装置的制造方法、半导体晶圆及半导体装置 [P].

木村龙太 .

日本专利 :CN119439634A ,2025-02-14

[3]

半导体晶圆及半导体装置的制造方法 [P].

伊藤冬马 ;

吉水康人 ;

久下宣仁 ;

嘉义唯 ;

小幡进 ;

松尾圭一郎 ;

佐野光雄 .

日本专利 :CN113544815B ,2024-07-26

[4]

半导体晶圆及制造半导体装置的方法 [P].

陈宪伟 .

中国专利 :CN101908522B ,2010-12-08

[5]

半导体晶圆及半导体装置的制造方法 [P].

富田和朗 .

中国专利 :CN101359646A ,2009-02-04

[6]

半导体晶圆及半导体装置的制造方法 [P].

伊藤冬马 ;

吉水康人 ;

久下宣仁 ;

嘉义唯 ;

小幡进 ;

松尾圭一郎 ;

佐野光雄 .

中国专利 :CN113544815A ,2021-10-22

[7]

半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法 [P].

张乃千 ;

潘盼 .

中国专利 :CN107980171B ,2018-05-01

[8]

半导体芯片、半导体晶圆及半导体晶圆的制造方法 [P].

张乃千 ;

潘盼 .

中国专利 :CN107068611A ,2017-08-18

[9]

半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆 [P].

铃木温 .

日本专利 :CN119278499A ,2025-01-07

[10]

半导体晶圆的清洗方法、半导体晶圆的制造方法及半导体晶圆 [P].

柳井凉一 .

日本专利 :CN120731491A ,2025-09-30

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