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单光子雪崩二极管及其制作方法、单光子雪崩二极管阵列
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111070697.6
申请日：
2021-09-13
公开(公告)号：
CN113690337A
公开(公告)日：
2021-11-23
发明(设计)人：
魏丹清
申请人：
申请人地址：
430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
IPC主分类号：
H01L31107
IPC分类号：
H01L310352
H01L3118
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
田婷
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-12-10 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/107 申请日:20210913 |
| 2021-11-23 | 公开 | 公开 |