半导体装置以及半导体装置的制造方法

被引：0

申请号：

CN202180012347.6

申请日：

2021-03-18

公开(公告)号：

CN115053353A

公开(公告)日：

2022-09-13

发明(设计)人：

甲谷真吾

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L21329 H01L2941 H01L2947

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王晖

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-13	公开	公开
2022-09-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/872 申请日:20210318

共 50 条

[1]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

小松大辉 .

日本专利 :CN120813029A ,2025-10-17

[2]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

北田瑞枝 ;

浅田毅 ;

山口武司 ;

铃木教章 ;

新井大辅 .

中国专利 :CN108292682A ,2018-07-17

[3]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

上村和贵 ;

洼内源宜 .

中国专利 :CN113809147A ,2021-12-17

[4]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

泽田达郎 .

中国专利 :CN113597661A ,2021-11-02

[5]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

吉冈启 ;

小林仁 ;

关口秀树 ;

洪洪 ;

矶部康裕 ;

杉山亨 .

日本专利 :CN118693142A ,2024-09-24

[6]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

野口晴司 .

日本专利 :CN117913131A ,2024-04-19

[7]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

泽田达郎 .

中国专利 :CN113614924A ,2021-11-05

[8]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

长井雅嗣 ;

佐藤慎吾 .

日本专利 :CN118588751A ,2024-09-03

[9]

半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

木村知洋 ;

森重恭 .

中国专利 :CN101803031A ,2010-08-11

[10]

半导体装置以及制造半导体装置的方法 [P].

多木俊裕 ;

远藤浩 .

中国专利 :CN102569376B ,2012-07-11

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