用于窄间隙隔离区的自对准沟槽填充

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680043701.7

申请日：

2006-10-10

公开(公告)号：

CN101341596A

公开(公告)日：

2009-01-07

发明(设计)人：

杰克·H·元

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L27115

IPC分类号：

H01L21762 H01L218247

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

刘国伟

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-20	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101515795947 IPC(主分类):H01L 27/115 专利号:ZL2006800437017 变更事项:专利权人变更前:三因迪斯克技术有限公司变更后:桑迪士克科技公司变更事项:地址变更前:美国德克萨斯州变更后:美国德克萨斯州
2016-07-20	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101735640807 IPC(主分类):H01L 27/115 专利号:ZL2006800437017 变更事项:专利权人变更前:桑迪士克科技公司变更后:桑迪士克科技有限责任公司变更事项:地址变更前:美国德克萨斯州变更后:美国德克萨斯州
2009-01-07	公开	公开
2019-10-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/115 申请日:20061010 授权公告日:20101208 终止日期:20181010
2010-12-08	授权	授权
2012-05-02	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101341927334 IPC(主分类):H01L 27/115 专利号:ZL2006800437017 变更事项:专利权人变更前权利人:桑迪士克股份有限公司变更后权利人:三因迪斯克技术有限公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:美国德克萨斯州登记生效日:20120322
2009-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

具有高耦合比的自对准沟槽填充 [P].

杰克·H·元 .

中国专利 :CN101095234A ,2007-12-26

[2]

用于填充浅沟槽隔离（STI）区的沟槽的方法 [P].

张耀文 ;

蔡嘉雄 ;

蔡正原 .

中国专利 :CN106158721A ,2016-11-23

[3]

用于产量和性能改进的自对准图案化沟槽隔离 [P].

Y·张 ;

K·张 ;

许国伟 ;

褚涛 ;

R·赵 ;

张凤 ;

洪挺翔 ;

J·尹 ;

C-C·林 ;

C·W·杨 ;

C-H·林 ;

A·默西 .

美国专利 :CN120730825A ,2025-09-30

[4]

使用自对准沟槽隔离的减小电场DMOS [P].

盖尔·W·小米勒 ;

福尔克尔·杜德克 ;

迈克尔·格拉夫 .

中国专利 :CN101292340A ,2008-10-22

[5]

改进浅沟槽隔离间隙填充工艺的方法 [P].

汪钉崇 .

中国专利 :CN101064249A ,2007-10-31

[6]

自对准背面深沟槽隔离结构 [P].

黄益民 ;

施俊吉 ;

亚历山大·卡尔尼茨基 .

中国专利 :CN106486413A ,2017-03-08

[7]

高深宽比沟槽隔离区的填充方法 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN102054736A ,2011-05-11

[8]

填充高深宽比沟槽隔离区的方法 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN102054735A ,2011-05-11

[9]

浅沟槽隔离结构中的沟槽填充方法 [P].

平延磊 .

中国专利 :CN102479739B ,2012-05-30

[10]

隔离沟槽的填充方法 [P].

郑春生 ;

郭佳衢 ;

吴汉明 ;

刘明源 .

中国专利 :CN101192559A ,2008-06-04

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