改进浅沟槽隔离间隙填充工艺的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610026323.3

申请日：

2006-04-30

公开(公告)号：

CN101064249A

公开(公告)日：

2007-10-31

发明(设计)人：

汪钉崇

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

H01L2176 H01L2700

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

徐谦;杨红梅

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-02-01	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101274725987 IPC(主分类):H01L 21/306 专利号:ZL2006100263233 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111222
2020-04-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/306 申请日:20060430 授权公告日:20090722 终止日期:20190430
2007-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-10-31	公开	公开
2009-07-22	授权	授权

共 50 条

[1]

浅沟槽隔离的工艺方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN104078409A ,2014-10-01

[2]

浅沟槽隔离工艺 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN104078412A ,2014-10-01

[3]

浅沟槽隔离结构的制造方法 [P].

韩秋华 ;

杜珊珊 ;

黄怡 ;

赵林林 .

中国专利 :CN101770974A ,2010-07-07

[4]

浅沟槽隔离结构的制造方法 [P].

李睿 ;

俞柳江 ;

王庆东 .

中国专利 :CN101226895A ,2008-07-23

[5]

用于填充浅沟槽隔离（STI）区的沟槽的方法 [P].

张耀文 ;

蔡嘉雄 ;

蔡正原 .

中国专利 :CN106158721A ,2016-11-23

[6]

浅沟槽隔离结构中的沟槽填充方法 [P].

平延磊 .

中国专利 :CN102479739B ,2012-05-30

[7]

一种浅沟槽隔离结构的制作方法和浅沟槽隔离结构 [P].

邓浩 ;

向阳辉 ;

张彬 .

中国专利 :CN103594412A ,2014-02-19

[8]

形成浅沟槽隔离(STI)结构的方法 [P].

贾斯丁·希罗奇·萨托 ;

格雷戈里·艾伦·斯托姆 .

中国专利 :CN107690692A ,2018-02-13

[9]

浅沟槽隔离结构的形成方法 [P].

王新鹏 ;

王军 ;

宋铭峰 .

中国专利 :CN102569162A ,2012-07-11

[10]

浅沟槽隔离结构的制作方法 [P].

邓永平 ;

何学缅 ;

任红茹 ;

樊强 .

中国专利 :CN101887866A ,2010-11-17

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