多元化合物红外晶体生长装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200820025995.7

申请日：

2008-07-24

公开(公告)号：

CN201224776Y

公开(公告)日：

2009-04-22

发明(设计)人：

王善朋陶绪堂蒋民华

申请人：

申请人地址：

250061山东省济南市历下区经十路73号

IPC主分类号：

C30B1100

IPC分类号：

C30B3500

代理机构：

济南圣达专利商标事务所有限公司

代理人：

王书刚

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101111713375 IPC(主分类):C30B 11/00 专利号:ZL2008200259957 申请日:20080724 授权公告日:20090422 终止日期:20100724
2009-04-22	授权	授权

共 50 条

[1]

多元化合物红外晶体生长装置 [P].

王善朋 ;

陶绪堂 ;

蒋民华 .

中国专利 :CN101323968B ,2008-12-17

[2]

多元化合物红外晶体生长方法 [P].

王善朋 ;

陶绪堂 ;

蒋民华 .

中国专利 :CN101323969A ,2008-12-17

[3]

垂直布里奇曼炉多元化合物晶体生长设备 [P].

宋德鹏 .

中国专利 :CN206916250U ,2018-01-23

[4]

垂直布里奇曼炉多元化合物晶体生长设备 [P].

宋德鹏 .

中国专利 :CN107083564A ,2017-08-22

[5]

多元化合物半导体单晶的制备方法与生长装置 [P].

朱世富 ;

赵北君 ;

何知宇 ;

陈观雄 .

中国专利 :CN101122045A ,2008-02-13

[6]

一种用于多元化合物晶体生长的设备及其应用 [P].

袁泽锐 ;

康彬 ;

尹文龙 ;

唐明静 ;

张羽 ;

窦云巍 ;

方攀 ;

陈莹 .

中国专利 :CN104313681A ,2015-01-28

[7]

垂直布里奇曼法多元化合物晶体生长系统及其使用方法 [P].

袁泽锐 ;

黄辉 ;

康彬 ;

邓建国 ;

张羽 ;

唐明静 ;

窦云巍 ;

方攀 ;

敬畏 .

中国专利 :CN103603033A ,2014-02-26

[8]

多元化合物半导体单晶的生长装置 [P].

赵北君 ;

朱世富 ;

何知宇 ;

陈观雄 .

中国专利 :CN201031264Y ,2008-03-05

[9]

一种化合物半导体的离心晶体生长装置 [P].

王书杰 ;

孙聂枫 ;

徐森锋 ;

史艳磊 ;

李晓岚 ;

邵会民 ;

刘峥 ;

王阳 ;

姜剑 ;

康永 ;

张鑫 ;

谷伟侠 .

中国专利 :CN218404506U ,2023-01-31

[10]

晶体生长装置 [P].

秦皓然 ;

蔡文必 .

中国专利 :CN216786307U ,2022-06-21

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