垂直布里奇曼炉多元化合物晶体生长设备

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710468013.5
申请日
2017-06-20
公开(公告)号
CN107083564A
公开(公告)日
2017-08-22
发明(设计)人
宋德鹏
申请人
申请人地址
250119 山东省济南市天桥区桑梓店镇舜兴路66号济南新材料产业科技园1号楼1层西区
IPC主分类号
C30B1100
IPC分类号
代理机构
山东众成清泰律师事务所 37257
代理人
丁修亭
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 34 条
[1]
垂直布里奇曼炉多元化合物晶体生长设备 [P]. 
宋德鹏 .
中国专利 :CN206916250U ,2018-01-23
[2]
垂直布里奇曼法多元化合物晶体生长系统及其使用方法 [P]. 
袁泽锐 ;
黄辉 ;
康彬 ;
邓建国 ;
张羽 ;
唐明静 ;
窦云巍 ;
方攀 ;
敬畏 .
中国专利 :CN103603033A ,2014-02-26
[3]
多元化合物红外晶体生长方法 [P]. 
王善朋 ;
陶绪堂 ;
蒋民华 .
中国专利 :CN101323969A ,2008-12-17
[4]
多元化合物红外晶体生长装置 [P]. 
王善朋 ;
陶绪堂 ;
蒋民华 .
中国专利 :CN201224776Y ,2009-04-22
[5]
多元化合物红外晶体生长装置 [P]. 
王善朋 ;
陶绪堂 ;
蒋民华 .
中国专利 :CN101323968B ,2008-12-17
[6]
垂直布里奇曼法生长Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体的装置及方法 [P]. 
刘克岳 .
中国专利 :CN118147733A ,2024-06-07
[7]
一种用于多元化合物晶体生长的设备及其应用 [P]. 
袁泽锐 ;
康彬 ;
尹文龙 ;
唐明静 ;
张羽 ;
窦云巍 ;
方攀 ;
陈莹 .
中国专利 :CN104313681A ,2015-01-28
[8]
垂直布里奇曼生长炉及炉内温度场优化方法 [P]. 
介万奇 ;
徐亚东 ;
王涛 ;
刘伟华 ;
杨戈 ;
张继军 .
中国专利 :CN101220502B ,2008-07-16
[9]
多元化合物半导体单晶的生长装置 [P]. 
赵北君 ;
朱世富 ;
何知宇 ;
陈观雄 .
中国专利 :CN201031264Y ,2008-03-05
[10]
垂直布里奇曼法生长氧化镓单晶的装置和方法 [P]. 
徐永宽 ;
赵琪 ;
马文成 ;
齐小方 ;
胡章贵 .
中国专利 :CN120537024A ,2025-08-26