垂直布里奇曼法生长Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体的装置及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410207549.1

申请日：

2024-02-26

公开(公告)号：

CN118147733A

公开(公告)日：

2024-06-07

发明(设计)人：

刘克岳

申请人：

中国电子科技集团公司第十一研究所

申请人地址：

100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号

IPC主分类号：

C30B11/00

IPC分类号：

C30B29/48

代理机构：

工业和信息化部电子专利中心 11010

代理人：

袁鸿

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-07	公开	公开
2024-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 11/00申请日:20240226

共 50 条

[1]

垂直布里奇曼法多元化合物晶体生长系统及其使用方法 [P].

袁泽锐 ;

黄辉 ;

康彬 ;

邓建国 ;

张羽 ;

唐明静 ;

窦云巍 ;

方攀 ;

敬畏 .

中国专利 :CN103603033A ,2014-02-26

[2]

垂直布里奇曼法生长氧化镓的装置及方法 [P].

夏宁 ;

沈典宇 ;

王芸霞 .

中国专利 :CN118814252A ,2024-10-22

[3]

垂直布里奇曼炉多元化合物晶体生长设备 [P].

宋德鹏 .

中国专利 :CN206916250U ,2018-01-23

[4]

垂直布里奇曼炉多元化合物晶体生长设备 [P].

宋德鹏 .

中国专利 :CN107083564A ,2017-08-22

[5]

垂直布里奇曼法生长氧化镓晶体的装置及氧化镓晶体的生长方法 [P].

黄东阳 ;

朱晓波 ;

陶德强 ;

齐红基 .

中国专利 :CN119753809A ,2025-04-04

[6]

垂直布里奇曼法生长氧化镓单晶的装置和方法 [P].

徐永宽 ;

赵琪 ;

马文成 ;

齐小方 ;

胡章贵 .

中国专利 :CN120537024A ,2025-08-26

[7]

布里奇曼法晶体生长的温度控制方法 [P].

罗毅 ;

陈菲菲 ;

赵显 .

中国专利 :CN117966250A ,2024-05-03

[8]

布里奇曼法晶体生长的温度控制方法 [P].

罗毅 ;

陈菲菲 ;

赵显 .

中国专利 :CN117966250B ,2025-05-06

[9]

一种垂直布里奇曼法生长氧化镓单晶的缩颈工艺及坩埚 [P].

孟标 ;

严钰婕 ;

张召富 ;

殷长帅 .

中国专利 :CN119640404A ,2025-03-18

[10]

垂直布里奇曼生长炉及炉内温度场优化方法 [P].

介万奇 ;

徐亚东 ;

王涛 ;

刘伟华 ;

杨戈 ;

张继军 .

中国专利 :CN101220502B ,2008-07-16

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