垂直布里奇曼法生长氧化镓的装置及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410830835.3

申请日：

2024-06-25

公开(公告)号：

CN118814252A

公开(公告)日：

2024-10-22

发明(设计)人：

夏宁沈典宇王芸霞

申请人：

杭州镓仁半导体有限公司

申请人地址：

311202 浙江省杭州市萧山区宁围街道建设三路733号信息港五期一号楼205-62

IPC主分类号：

C30B11/00

IPC分类号：

C30B29/16

代理机构：

北京高沃律师事务所 11569

代理人：

常祖正

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 11/00申请日:20240625
2024-10-22	公开	公开

共 50 条

[1]

垂直布里奇曼法生长氧化镓单晶的装置和方法 [P].

徐永宽 ;

赵琪 ;

马文成 ;

齐小方 ;

胡章贵 .

中国专利 :CN120537024A ,2025-08-26

[2]

垂直布里奇曼法生长氧化镓晶体的装置及氧化镓晶体的生长方法 [P].

黄东阳 ;

朱晓波 ;

陶德强 ;

齐红基 .

中国专利 :CN119753809A ,2025-04-04

[3]

一种垂直布里奇曼法生长氧化镓单晶的缩颈工艺及坩埚 [P].

孟标 ;

严钰婕 ;

张召富 ;

殷长帅 .

中国专利 :CN119640404A ,2025-03-18

[4]

一种新型布里奇曼法氧化镓单晶生长用坩埚及生长方法 [P].

周惠琴 ;

朱灿 ;

党一帆 ;

朱永海 ;

陈鹏磊 ;

刘鹏飞 ;

赵树春 .

中国专利 :CN120591880A ,2025-09-05

[5]

垂直布里奇曼法生长Ⅱ-Ⅵ族化合物晶体的装置及方法 [P].

刘克岳 .

中国专利 :CN118147733A ,2024-06-07

[6]

氧化镓晶体的温区位移布里奇曼法单晶生长装置与方法 [P].

穆文祥 ;

陶绪堂 .

中国专利 :CN118756312A ,2024-10-11

[7]

一种应用于垂直温度梯度法或垂直布里奇曼法生长砷化镓单晶生长的原料腐蚀设备系统 [P].

屠海令 ;

苏小平 ;

张峰燚 ;

王思爱 ;

杨海 ;

王铁艳 ;

黎建明 .

中国专利 :CN102108541A ,2011-06-29

[8]

一种应用于垂直温度梯度法或垂直布里奇曼法生长砷化镓单晶生长的原料腐蚀设备系统 [P].

屠海令 ;

苏小平 ;

张峰燚 ;

王思爱 ;

杨海 ;

王铁艳 ;

黎建明 .

中国专利 :CN201567385U ,2010-09-01

[9]

布里奇曼法晶体生长的温度控制方法 [P].

罗毅 ;

陈菲菲 ;

赵显 .

中国专利 :CN117966250A ,2024-05-03

[10]

布里奇曼法晶体生长的温度控制方法 [P].

罗毅 ;

陈菲菲 ;

赵显 .

中国专利 :CN117966250B ,2025-05-06

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