超导磁体组件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201880073915.1
申请日
2018-10-29
公开(公告)号
CN111433868B
公开(公告)日
2020-07-17
发明(设计)人
J·A·奥弗韦格
申请人
申请人地址
荷兰艾恩德霍芬
IPC主分类号
H01F606
IPC分类号
H01F600 G01R333815
代理机构
永新专利商标代理有限公司 72002
代理人
刘兆君
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[21]
超导磁体装置 [P]. 
桥本笃 ;
吉田润 ;
出村健太 ;
森江孝明 .
日本专利 :CN120496988A ,2025-08-15
[22]
超导磁体装置 [P]. 
江原悠太 ;
三上行雄 ;
高桥伸明 .
日本专利 :CN114974790B ,2025-07-08
[23]
超导磁体装置 [P]. 
伊藤聪 .
中国专利 :CN108109806A ,2018-06-01
[24]
超导磁体装置 [P]. 
出村健太 ;
桥本笃 ;
吉田润 .
中国专利 :CN216928214U ,2022-07-08
[25]
超导磁体装置 [P]. 
张强 .
中国专利 :CN203386560U ,2014-01-08
[26]
超导磁体装置 [P]. 
江原悠太 .
日本专利 :CN118629743A ,2024-09-10
[27]
超导磁体装置 [P]. 
岩本直树 ;
田村一 ;
井上达也 ;
江口谅 .
中国专利 :CN108028117A ,2018-05-11
[28]
超导磁体装置 [P]. 
松本拓也 ;
永滨秀明 ;
伊藤聪 .
日本专利 :CN118800549A ,2024-10-18
[29]
超导磁体装置 [P]. 
桥本笃 ;
吉田润 .
日本专利 :CN121195316A ,2025-12-23
[30]
超导磁体 [P]. 
江口谅 ;
横山彰一 ;
田村一 ;
井上达也 .
中国专利 :CN105378861A ,2016-03-02