NAND闪速存储器器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910203082.9

申请日：

2009-05-19

公开(公告)号：

CN101587747A

公开(公告)日：

2009-11-25

发明(设计)人：

吴东妍李云京李丞哲

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地

IPC主分类号：

G11C1602

IPC分类号：

G11C1610 G11C500 G06F100 G06F1700

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

穆德骏;陆锦华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-11-25	公开	公开
2011-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101083095162 IPC(主分类):G11C 16/02 专利申请号:2009102030829 申请日:20090519
2015-04-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101713319473 IPC(主分类):G11C 16/02 专利申请号:2009102030829 申请公布日:20091125

共 50 条

[1]

制造NAND闪速存储器件的方法 [P].

严在哲 ;

金南经 .

中国专利 :CN100541764C ,2007-07-11

[2]

闪速存储器件及其制造方法 [P].

朴真何 .

中国专利 :CN101355055A ,2009-01-28

[3]

NAND闪速存储器件及其操作方法 [P].

吴东妍 ;

李云京 ;

宋在爀 ;

李昌燮 .

中国专利 :CN101567213A ,2009-10-28

[4]

NAND型闪速存储器及其制造方法 [P].

白田理一郎 .

中国专利 :CN120897458A ,2025-11-04

[5]

制造闪速存储器件的方法 [P].

韩景植 ;

朴相昱 ;

金相德 .

中国专利 :CN100390962C ,2006-11-08

[6]

闪速存储器件的制造方法 [P].

赵敏局 ;

金种五 .

中国专利 :CN1085412C ,1998-03-25

[7]

闪速存储器件的制造方法 [P].

光平规之 .

中国专利 :CN1505134A ,2004-06-16

[8]

闪速存储器件的制造方法 [P].

申承佑 .

中国专利 :CN100550351C ,2007-10-03

[9]

制造闪速存储器件的方法 [P].

任贤珠 .

中国专利 :CN101335246A ,2008-12-31

[10]

闪速存储器、闪速存储器系统及其操作方法 [P].

金经纶 ;

尹翔镛 .

中国专利 :CN103928055A ,2014-07-16

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