具有电流扩展增透膜层的GaN基LED芯片及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510822318.2

申请日：

2015-11-24

公开(公告)号：

CN105449059A

公开(公告)日：

2016-03-30

发明(设计)人：

黄博彭璐刘琦徐现刚

申请人：

申请人地址：

261061 山东省潍坊市高新区金马路9号

IPC主分类号：

H01L3314

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

济南日新专利代理事务所 37224

代理人：

王书刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-30	公开	公开
2016-04-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101657709296 IPC(主分类):H01L 33/14 专利申请号:2015108223182 申请日:20151124
2020-01-03	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 33/14 申请公布日:20160330

共 50 条

[1]

具有钝化层粗化结构的GaN基LED芯片及其制备方法 [P].

王全新 ;

徐晓强 ;

彭璐 ;

刘琦 .

中国专利 :CN105742441A ,2016-07-06

[2]

具有粗化电流扩展层的GaAs基LED芯片及制备方法 [P].

李晓明 ;

闫宝华 ;

王建华 ;

陈康 ;

刘琦 .

中国专利 :CN106340574B ,2017-01-18

[3]

具有粗化电流扩展层的GaAs基LED芯片 [P].

李晓明 ;

闫宝华 ;

王建华 ;

陈康 ;

刘琦 .

中国专利 :CN206163513U ,2017-05-10

[4]

GaN基LED芯片制备方法 [P].

陈诚 ;

齐胜利 ;

郝茂盛 .

中国专利 :CN103811602A ,2014-05-21

[5]

一种具有复合ITO结构的LED芯片及其制备方法 [P].

王克来 ;

白继锋 ;

徐培强 ;

张银桥 ;

王向武 ;

潘彬 .

中国专利 :CN111463331A ,2020-07-28

[6]

具有电极过渡层的LED芯片及其制造方法 [P].

袁根如 ;

郝茂盛 ;

陶淳 ;

朱秀山 ;

朱广敏 ;

陈诚 ;

张楠 ;

杨杰 .

中国专利 :CN103311398A ,2013-09-18

[7]

具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 [P].

李璟 ;

王国宏 ;

魏同波 ;

张杨 ;

孔庆峰 .

中国专利 :CN102157640A ,2011-08-17

[8]

一种带ITO薄膜结构的LED芯片及其制备方法 [P].

张银桥 ;

潘彬 .

中国专利 :CN105895771B ,2016-08-24

[9]

GaN基绿光LED外延片及其制备方法、LED [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117239025B ,2024-02-20

[10]

GaN基LED垂直芯片结构及其制备方法 [P].

童玲 ;

徐慧文 ;

李起鸣 .

中国专利 :CN105514230A ,2016-04-20

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