制作高亮度LED芯片的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200710305834.3
申请日
2007-12-27
公开(公告)号
CN101471412A
公开(公告)日
2009-07-01
发明(设计)人
欧阳红英
申请人
申请人地址
518055广东省深圳市南山区西丽镇龙井方大工业城
IPC主分类号
H01L3300
IPC分类号
代理机构
深圳市顺天达专利商标代理有限公司
代理人
郭伟刚;张秋红
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
高亮度正装LED芯片的制作方法 [P]. 
翁沛喜 .
中国专利 :CN101471405A ,2009-07-01
[2]
高亮度LED芯片 [P]. 
伍永安 ;
高绍兵 .
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[3]
提高亮度的GaN基LED芯片的制作方法 [P]. 
李璟 ;
王国宏 ;
詹腾 ;
孔庆峰 .
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[4]
一种高亮度LED芯片及其制作方法 [P]. 
周智斌 ;
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廖小花 ;
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[5]
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郝茂盛 ;
张楠 ;
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袁根如 ;
朱广敏 .
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[6]
一种高亮度LED芯片及其制备方法 [P]. 
曹志武 ;
王远红 ;
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[7]
高亮度LED [P]. 
王晓玲 ;
牛春晖 ;
吕乃光 ;
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[8]
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王倩静 ;
徐慧文 ;
李起鸣 ;
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[9]
一种高亮度LED芯片及其制作方法 [P]. 
艾国齐 .
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[10]
免封装高亮度LED芯片结构及其制作方法 [P]. 
郝茂盛 ;
袁根如 ;
张楠 .
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