免封装高亮度LED芯片结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611169969.7

申请日：

2016-12-16

公开(公告)号：

CN106531859A

公开(公告)日：

2017-03-22

发明(设计)人：

郝茂盛袁根如张楠

申请人：

申请人地址：

201209 上海市浦东新区川沙路151号3幢T1046室

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

H01L3346 H01L3300

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101714014337 IPC(主分类):H01L 33/02 专利申请号:2016111699697 申请日:20161216
2018-12-14	授权	授权
2017-03-22	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高亮度LED芯片及其制作方法 [P].

周智斌 ;

李峰 ;

廖小花 ;

吴慧娟 .

中国专利 :CN108231971A ,2018-06-29

[2]

制作高亮度LED芯片的方法 [P].

欧阳红英 .

中国专利 :CN101471412A ,2009-07-01

[3]

高亮度正装LED芯片的制作方法 [P].

翁沛喜 .

中国专利 :CN101471405A ,2009-07-01

[4]

高亮度白光LED及其制作方法 [P].

李漫铁 ;

李志新 .

中国专利 :CN101740706B ,2010-06-16

[5]

提高亮度的GaN基LED芯片的制作方法 [P].

李璟 ;

王国宏 ;

詹腾 ;

孔庆峰 .

中国专利 :CN103165780A ,2013-06-19

[6]

一种高亮度LED芯片及其制作方法 [P].

仇美懿 ;

李进 .

中国专利 :CN112242461A ,2021-01-19

[7]

一种高亮度LED芯片及其制作方法 [P].

仇美懿 ;

庄家铭 .

中国专利 :CN109545935A ,2019-03-29

[8]

一种高亮度LED芯片及其制作方法 [P].

周智斌 ;

张小球 ;

汪延明 ;

徐平 .

中国专利 :CN108198922B ,2018-06-22

[9]

一种高亮度LED芯片及其制作方法 [P].

艾国齐 .

中国专利 :CN108063175B ,2018-05-22

[10]

一种高亮度LED芯片及其制造方法 [P].

李士涛 ;

郝茂盛 ;

张楠 ;

陈诚 ;

袁根如 ;

朱广敏 .

中国专利 :CN103035787A ,2013-04-10

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