一种高亮度LED芯片及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011116153.4

申请日：

2020-10-19

公开(公告)号：

CN112242461A

公开(公告)日：

2021-01-19

发明(设计)人：

仇美懿李进

申请人：

申请人地址：

528200 广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3336 H01L3340

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

胡枫;李素兰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20201019
2021-01-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高亮度LED芯片及其制作方法 [P].

仇美懿 ;

庄家铭 .

中国专利 :CN109545935A ,2019-03-29

[2]

一种高亮度LED芯片及其制作方法 [P].

周智斌 ;

李峰 ;

廖小花 ;

吴慧娟 .

中国专利 :CN108231971A ,2018-06-29

[3]

一种高亮度LED芯片及其制作方法 [P].

周智斌 ;

张小球 ;

汪延明 ;

徐平 .

中国专利 :CN108198922B ,2018-06-22

[4]

一种高亮度LED芯片及其制作方法 [P].

艾国齐 .

中国专利 :CN108063175B ,2018-05-22

[5]

一种高亮度LED芯片 [P].

仇美懿 ;

李进 .

中国专利 :CN213988914U ,2021-08-17

[6]

高亮度白光LED及其制作方法 [P].

李漫铁 ;

李志新 .

中国专利 :CN101740706B ,2010-06-16

[7]

一种高亮度正装LED芯片及其制作方法 [P].

仇美懿 ;

庄家铭 ;

陈凯 .

中国专利 :CN110676358B ,2025-01-14

[8]

一种高亮度正装LED芯片及其制作方法 [P].

仇美懿 ;

庄家铭 ;

陈凯 .

中国专利 :CN110676358A ,2020-01-10

[9]

免封装高亮度LED芯片结构及其制作方法 [P].

郝茂盛 ;

袁根如 ;

张楠 .

中国专利 :CN106531859A ,2017-03-22

[10]

制作高亮度LED芯片的方法 [P].

欧阳红英 .

中国专利 :CN101471412A ,2009-07-01

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