一种基于放电等离子烧结的光固化成形陶瓷及其制备方法

被引：0

申请号：

CN202211361293.7

申请日：

2022-10-31

公开(公告)号：

CN115536401A

公开(公告)日：

2022-12-30

发明(设计)人：

吴甲民田冲吴亚茹黄海露史玉升

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

IPC主分类号：

C04B35584

IPC分类号：

C04B3510 C04B3500 C04B35622 C04B3564 B33Y7010 B33Y1000

代理机构：

华中科技大学专利中心 42201

代理人：

徐美琳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/584 申请日:20221031
2022-12-30	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于光固化成形的难固化陶瓷的制备方法及产品 [P].

吴甲民 ;

刘春磊 ;

杜全沛 ;

陈双 ;

郑雯 ;

何梓轩 ;

史玉升 .

中国专利 :CN113880559A ,2022-01-04

[2]

碳化硼基复相陶瓷及其放电等离子烧结制备方法 [P].

李云凯 ;

程兴旺 ;

侯桂芹 ;

孙川 ;

杭晓聪 .

中国专利 :CN105924176A ,2016-09-07

[3]

一种放电等离子烧结原位制备的MoSi2陶瓷 [P].

高明超 .

中国专利 :CN109851366A ,2019-06-07

[4]

一种用于生产大尺寸先进陶瓷的放电等离子烧结装置及烧结方法 [P].

何亮 ;

周宇鹏 ;

谢盛辉 ;

刘宏 ;

程龙 .

中国专利 :CN119826526B ,2025-10-28

[5]

一种用于生产大尺寸先进陶瓷的放电等离子烧结装置及烧结方法 [P].

何亮 ;

周宇鹏 ;

谢盛辉 ;

刘宏 ;

程龙 .

中国专利 :CN119826526A ,2025-04-15

[6]

一种放电等离子烧结系统 [P].

孙矿 ;

徐炜 .

中国专利 :CN106238732A ,2016-12-21

[7]

一种基于放电等离子烧结的氮化硅/碳化钛陶瓷材料制备方法 [P].

肖光春 ;

张帅 ;

陈照强 ;

许崇海 ;

衣明东 ;

张静婕 .

中国专利 :CN112266251A ,2021-01-26

[8]

一种烧结钕铁硼磁瓦的方法及其放电等离子烧结装置 [P].

李军 ;

杨平达 ;

钱定权 ;

顾红 ;

杨顺秋 .

中国专利 :CN105632674B ,2016-06-01

[9]

一种高温NTC热敏陶瓷材料及其放电等离子烧结方法 [P].

殷增斌 ;

陈何强 ;

郝肖华 .

中国专利 :CN112876232B ,2021-06-01

[10]

一种高热导率的放电等离子烧结碳化硅陶瓷材料及其制备方法 [P].

李寅生 ;

黄斌炜 ;

钱壮 ;

尹自强 ;

黄庆 .

中国专利 :CN118359440A ,2024-07-19

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