高电源抑制比电流源

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201520372781.7
申请日
2015-06-01
公开(公告)号
CN204631671U
公开(公告)日
2015-09-09
发明(设计)人
陶霞菲
申请人
申请人地址
310053 浙江省杭州市滨江区南环路4028号
IPC主分类号
G05F156
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
一种高电源抑制比PTAT电流源 [P]. 
王海时 ;
毛焜 ;
彭映杰 ;
杨燕 ;
王天宝 ;
李英祥 ;
杨春俊 ;
刘丹 .
中国专利 :CN107992142A ,2018-05-04
[2]
一种高电源抑制比PTAT电流源 [P]. 
杨春俊 ;
王海时 ;
毛焜 ;
杨燕 ;
彭映杰 ;
王天宝 ;
李英祥 ;
刘丹 .
中国专利 :CN207586786U ,2018-07-06
[3]
高电源抑制比的基准电压源 [P]. 
齐盛 .
中国专利 :CN204631678U ,2015-09-09
[4]
一种高电源抑制比电流偏置电路 [P]. 
袁博群 .
中国专利 :CN207586781U ,2018-07-06
[5]
高电源抑制比低失调的基准源电路 [P]. 
武国胜 ;
吴召雷 ;
黄俊维 .
中国专利 :CN101799699A ,2010-08-11
[6]
一种高电源抑制比的带隙基准电压源 [P]. 
贺小勇 ;
吴青华 ;
何俊良 ;
李梦诗 ;
蔡敏 .
中国专利 :CN204759261U ,2015-11-11
[7]
一种高电源抑制比的高精度电流源电路 [P]. 
周泽坤 ;
董渊 ;
程洁 ;
张瑜 ;
石跃 ;
明鑫 ;
王卓 ;
张波 .
中国专利 :CN103970169A ,2014-08-06
[8]
高电源抑制比高稳定性的电流源 [P]. 
沈孙园 .
中国专利 :CN204631679U ,2015-09-09
[9]
高电源抑制比快速响应的LDO电路 [P]. 
魏榕山 ;
林家城 ;
杨培祥 .
中国专利 :CN208188715U ,2018-12-04
[10]
一种高电源抑制比全CMOS基准电压源 [P]. 
岳宏卫 ;
龚全熙 ;
朱智勇 ;
徐卫林 ;
吴超飞 ;
孙晓菲 ;
汤寒雪 ;
邓进丽 .
中国专利 :CN206573970U ,2017-10-20