一种贵金属掺杂的半导体复合材料的制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN201911406846.4
申请日
2019-12-31
公开(公告)号
CN111128556A
公开(公告)日
2020-05-08
发明(设计)人
吴一萍 罗晶 姚静静 李琪
申请人
申请人地址
200234 上海市徐汇区桂林路100号
IPC主分类号
H01G920
IPC分类号
B01J2366
代理机构
上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227
代理人
曹莉
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种层状贵金属复合材料的制备方法 [P]. 
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肖荣国 ;
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一种半导体复合材料的制备方法 [P]. 
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[3]
基于金属有机框架的非贵金属/碳复合材料的制备方法、非贵金属/碳复合材料及其应用 [P]. 
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[4]
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[5]
层状贵金属复合材料的制备方法 [P]. 
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[6]
一种贵金属-半导体复合材料及其制备方法与应用 [P]. 
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[7]
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[8]
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[9]
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杨静静 ;
丁宏卫 ;
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[10]
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丁文 ;
云峰 ;
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