一种半导体复合材料的制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010266958.0
申请日
2017-11-10
公开(公告)号
CN111393782A
公开(公告)日
2020-07-10
发明(设计)人
朱佳媚
申请人
申请人地址
410217 湖南省长沙市望城经济技术开发区黄金创业园C5栋4楼4-1-49
IPC主分类号
C08L3312
IPC分类号
C08L2308 C08L2716 C08L7902 C08K302 C08G7302
代理机构
代理人
法律状态
发明专利申请公布后的撤回
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共 50 条
[1]
一种基于黑磷烯的半导体复合材料及其制备方法与应用 [P]. 
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[2]
一种基于二维二硫化钼的半导体复合材料及其制备方法与应用 [P]. 
朱佳媚 .
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[3]
一种贵金属掺杂的半导体复合材料的制备方法 [P]. 
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[4]
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[5]
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[6]
一种复合材料、半导体材料 [P]. 
方海平 .
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[7]
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[8]
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[9]
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[10]
一种共价有机框架与有机半导体复合材料的制备方法 [P]. 
朱逸伟 ;
许娜娜 ;
王楠 ;
刘园园 .
中国专利 :CN117843897A ,2024-04-09