一种晶硅太阳能电池PECVD低反射率膜优化工艺

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202011225157.6
申请日
2020-11-05
公开(公告)号
CN112349813A
公开(公告)日
2021-02-09
发明(设计)人
王震 宋文祥 胡亚洲 王超
申请人
申请人地址
224000 江苏省盐城市经济技术开发区湘江路58号
IPC主分类号
H01L3118
IPC分类号
H01L2102 H01L310216
代理机构
常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231
代理人
王巍巍
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种晶硅太阳能电池PECVD背膜优化工艺 [P]. 
李永伟 ;
任良为 ;
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[2]
一种晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺 [P]. 
王树林 ;
李鹏飞 ;
王英杰 .
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[3]
一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺 [P]. 
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[4]
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石强 ;
秦崇德 ;
方结彬 ;
黄玉平 ;
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[5]
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张晨 ;
张森林 .
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[6]
一种N型晶硅太阳能电池 [P]. 
方結彬 ;
秦崇德 ;
石强 ;
黄玉平 ;
何达能 ;
陈刚 .
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[7]
一种PERC晶硅太阳能电池及其制备方法 [P]. 
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蒋柱 ;
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[8]
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[9]
一种高效晶硅太阳能电池 [P]. 
方结彬 ;
秦崇德 ;
石强 ;
黄玉平 ;
何达能 .
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[10]
一种晶硅太阳能电池制绒方法及晶硅太阳能电池 [P]. 
王龙 ;
马玉超 ;
王登辉 ;
陈一帆 ;
田培树 ;
张强 .
中国专利 :CN121126922A ,2025-12-12