一种晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211196990.1

申请日：

2022-09-29

公开(公告)号：

CN117821933A

公开(公告)日：

2024-04-05

发明(设计)人：

王树林李鹏飞王英杰

申请人：

浙江晶盛光子科技有限公司

申请人地址：

311103 浙江省杭州市临平区经济技术开发区顺达路500号1幢105室

IPC主分类号：

C23C16/34

IPC分类号：

C23C16/505 C23C16/40 H01L31/0216 H01L31/068 H01L31/18

代理机构：

杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250

代理人：

鲁宽莹

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/34申请日:20220929
2024-04-05	公开	公开

共 50 条

[1]

一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺 [P].

陈金灯 ;

李虎明 .

中国专利 :CN104498908A ,2015-04-08

[2]

一种用于制备组件晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺 [P].

关统州 .

中国专利 :CN108559976A ,2018-09-21

[3]

一种晶硅太阳能电池的制造工艺 [P].

黎微明 ;

李翔 ;

胡彬 ;

王燕清 .

中国专利 :CN105870249A ,2016-08-17

[4]

一种晶硅太阳能电池PECVD背膜优化工艺 [P].

李永伟 ;

任良为 ;

马政 ;

周芳超 ;

刘建强 .

中国专利 :CN114134482A ,2022-03-04

[5]

一种晶硅太阳能电池PECVD低反射率膜优化工艺 [P].

王震 ;

宋文祥 ;

胡亚洲 ;

王超 .

中国专利 :CN112349813A ,2021-02-09

[6]

一种N型晶硅太阳能电池 [P].

方結彬 ;

秦崇德 ;

石强 ;

黄玉平 ;

何达能 ;

陈刚 .

中国专利 :CN205104497U ,2016-03-23

[7]

一种高效晶硅太阳能电池 [P].

方结彬 ;

秦崇德 ;

石强 ;

黄玉平 ;

何达能 .

中国专利 :CN204315595U ,2015-05-06

[8]

一种晶硅太阳能电池结构 [P].

杜喜霞 .

中国专利 :CN206340556U ,2017-07-18

[9]

一种晶硅太阳能电池PECVD镀膜后不良片的返工方法 [P].

王大卫 ;

崔红星 ;

张文锋 ;

胡应全 ;

林海峰 .

中国专利 :CN104485388A ,2015-04-01

[10]

一种晶硅太阳能电池 [P].

方琳 ;

董欢 ;

潘双 ;

王冰 ;

唐立丹 .

中国专利 :CN206774558U ,2017-12-19

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