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半导体装置及包括半导体装置的存储器装置和系统
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201911373324.9
申请日
:
2019-12-27
公开(公告)号
:
CN111883512A
公开(公告)日
:
2020-11-03
发明(设计)人
:
金南局
李南宰
申请人
:
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
H01L23538
IPC分类号
:
H01L2711524
H01L2711556
H01L271157
H01L2711582
H01L21768
代理机构
:
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
:
刘久亮;黄纶伟
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-11-03
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体装置及包括半导体装置的存储器装置和系统
[P].
金南局
论文数:
0
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0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
金南局
;
李南宰
论文数:
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0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
李南宰
.
韩国专利
:CN111883512B
,2024-08-06
[2]
半导体装置和包括该半导体装置的存储器系统
[P].
崔宰珉
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0
崔宰珉
;
金用勋
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金用勋
;
郑在祐
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郑在祐
;
金经纶
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金经纶
;
成侑昶
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成侑昶
;
俞昌植
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俞昌植
.
中国专利
:CN115691593A
,2023-02-03
[3]
半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的系统
[P].
李海硕
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李海硕
;
吴凛
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吴凛
;
权宁天
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权宁天
;
吉泛涌
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吉泛涌
;
柳济民
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柳济民
;
崔志显
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崔志显
.
中国专利
:CN114203219A
,2022-03-18
[4]
半导体装置及存储器装置
[P].
金南局
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
金南局
;
李南宰
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
李南宰
.
韩国专利
:CN118888537A
,2024-11-01
[5]
半导体装置、制造半导体装置的方法和半导体存储器系统
[P].
杨进
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
杨进
.
韩国专利
:CN121078735A
,2025-12-05
[6]
半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统
[P].
李泰坤
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李泰坤
;
姜敏圭
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
姜敏圭
;
金成俊
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金成俊
;
李雄燮
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李雄燮
;
赵恩锡
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
赵恩锡
;
崔钟允
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
崔钟允
;
黄铉圭
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
黄铉圭
.
韩国专利
:CN118870816A
,2024-10-29
[7]
半导体装置和半导体存储器装置
[P].
金载仁
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金载仁
;
李炫哲
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李炫哲
.
中国专利
:CN113744772A
,2021-12-03
[8]
半导体装置和半导体存储器装置
[P].
金载仁
论文数:
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
金载仁
;
李炫哲
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
李炫哲
.
韩国专利
:CN113744772B
,2025-05-13
[9]
半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统
[P].
徐廷硕
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徐廷硕
;
金光贤
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金光贤
;
金治国
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金治国
;
柳承佑
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柳承佑
;
黄斗熙
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黄斗熙
.
中国专利
:CN114530172A
,2022-05-24
[10]
半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统
[P].
张豪埈
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张豪埈
;
崔训对
论文数:
0
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崔训对
.
中国专利
:CN115701635A
,2023-02-10
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