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半导体装置和半导体存储器装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110116563.7
申请日
:
2021-01-28
公开(公告)号
:
CN113744772B
公开(公告)日
:
2025-05-13
发明(设计)人
:
金载仁
李炫哲
申请人
:
爱思开海力士有限公司
申请人地址
:
韩国京畿道
IPC主分类号
:
G11C5/14
IPC分类号
:
G11C16/22
G11C16/30
代理机构
:
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人
:
刘久亮;黄纶伟
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-05-13
授权
授权
共 50 条
[1]
半导体装置和半导体存储器装置
[P].
金载仁
论文数:
0
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0
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0
金载仁
;
李炫哲
论文数:
0
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0
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0
李炫哲
.
中国专利
:CN113744772A
,2021-12-03
[2]
半导体设备和半导体存储器设备
[P].
李炫哲
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
李炫哲
.
韩国专利
:CN113963728B
,2025-06-27
[3]
半导体设备和半导体存储器设备
[P].
李炫哲
论文数:
0
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0
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0
李炫哲
.
中国专利
:CN113963728A
,2022-01-21
[4]
半导体存储器装置及半导体装置
[P].
朴钟国
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0
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朴钟国
;
金泓秀
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金泓秀
;
赵泰根
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0
h-index:
0
赵泰根
.
中国专利
:CN107305893B
,2017-10-31
[5]
半导体存储器装置和半导体存储器装置的制造方法
[P].
李南宰
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0
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0
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0
李南宰
.
中国专利
:CN114067857A
,2022-02-18
[6]
复位装置,半导体IC装置,和半导体存储器装置
[P].
高田荣和
论文数:
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0
高田荣和
.
中国专利
:CN1213369C
,2002-04-24
[7]
半导体装置、制造半导体装置的方法和半导体存储器系统
[P].
杨进
论文数:
0
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0
机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
杨进
.
韩国专利
:CN121078735A
,2025-12-05
[8]
半导体存储器装置
[P].
李南宰
论文数:
0
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0
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机构:
爱思开海力士有限公司
爱思开海力士有限公司
李南宰
.
韩国专利
:CN119091935A
,2024-12-06
[9]
半导体存储器装置
[P].
罗载元
论文数:
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
罗载元
;
金昶植
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金昶植
;
李钟武
论文数:
0
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
李钟武
.
韩国专利
:CN120568748A
,2025-08-29
[10]
半导体存储器装置
[P].
丁海仁
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
丁海仁
;
张成豪
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
张成豪
;
权志硕
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
权志硕
;
金承唤
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金承唤
;
洪承湖
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
洪承湖
.
韩国专利
:CN118632522A
,2024-09-10
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