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离子源
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201310685061.1
申请日：
2013-12-13
公开(公告)号：
CN104051209B
公开(公告)日：
2014-09-17
发明(设计)人：
托马斯·N·霍斯奇
萨米·K·哈托
申请人：
申请人地址：
日本京都
IPC主分类号：
H01J3708
IPC分类号：
H01J37075
代理机构：
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
代理人：
戚传江;谢丽娜
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2017-04-12 | 授权 | 授权 |
| 2015-10-21 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101629440830 IPC(主分类):H01J 37/08 专利申请号:2013106850611 申请日:20131213 |
| 2014-09-17 | 公开 | 公开 |