肖特基二极管及其制作方法

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专利类型
发明
申请号
CN201610100214.5
申请日
2016-02-23
公开(公告)号
CN107104154A
公开(公告)日
2017-08-29
发明(设计)人
刘美华 孙辉 林信南 陈建国
申请人
申请人地址
100871 北京市海淀区颐和园路5号
IPC主分类号
H01L29872
IPC分类号
H01L2941 H01L21329
代理机构
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
马爽;黄健
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
肖特基二极管及其制作方法 [P]. 
柳志亨 .
中国专利 :CN102315281B ,2012-01-11
[2]
肖特基二极管及其制作方法 [P]. 
张怡 .
中国专利 :CN103839801A ,2014-06-04
[3]
肖特基二极管及其制作方法 [P]. 
郭广兴 ;
刘宪成 ;
梁厅 ;
丁伯继 .
中国专利 :CN103594524A ,2014-02-19
[4]
肖特基二极管及制作方法 [P]. 
陈凌辉 ;
布兰卡·艾斯特拉·克鲁斯 ;
马克·杜斯金 ;
约翰·D·莫兰 .
中国专利 :CN1841677A ,2006-10-04
[5]
肖特基二极管及其制作方法 [P]. 
刘美华 ;
林信南 ;
刘岩军 .
中国专利 :CN109065605A ,2018-12-21
[6]
肖特基二极管及其制作方法 [P]. 
刘彦涛 .
中国专利 :CN120076357A ,2025-05-30
[7]
肖特基二极管及其制作方法 [P]. 
刘美华 ;
林信南 ;
刘岩军 .
中国专利 :CN108807554B ,2018-11-13
[8]
肖特基二极管及其制作方法 [P]. 
刘彦涛 ;
李彤 ;
李倩倩 ;
贾旭初 ;
吴勐 .
中国专利 :CN119364780A ,2025-01-24
[9]
肖特基二极管及其制作方法 [P]. 
刘美华 ;
林信南 ;
刘岩军 .
中国专利 :CN109037354A ,2018-12-18
[10]
肖特基二极管及其制作方法 [P]. 
倪炜江 .
中国专利 :CN112201698B ,2024-08-16