肖特基二极管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411401640.3

申请日：

2024-10-09

公开(公告)号：

CN119364780A

公开(公告)日：

2025-01-24

发明(设计)人：

刘彦涛李彤李倩倩贾旭初吴勐

申请人：

吉林华微电子股份有限公司

申请人地址：

132000 吉林省吉林市高新区深圳街99号

IPC主分类号：

H10D8/01

IPC分类号：

H01L21/265 H01L21/266 H10D8/60 H10D62/10

代理机构：

成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310

代理人：

陈万艺

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 8/01申请日:20241009
2025-01-24	公开	公开

共 50 条

[1]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN109065605A ,2018-12-21

[2]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN108807554B ,2018-11-13

[3]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN109037354A ,2018-12-18

[4]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN109037353A ,2018-12-18

[5]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN109065604A ,2018-12-21

[6]

沟槽肖特基二极管及其制作方法 [P].

余强 ;

焦伟 ;

桑雨果 ;

姚鑫 ;

张小辛 .

中国专利 :CN107195692A ,2017-09-22

[7]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘彦涛 .

中国专利 :CN120076357A ,2025-05-30

[8]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

柳志亨 .

中国专利 :CN102315281B ,2012-01-11

[9]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

张怡 .

中国专利 :CN103839801A ,2014-06-04

[10]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN112201698B ,2024-08-16

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