肖特基二极管及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810876807.X

申请日：

2018-08-03

公开(公告)号：

CN109037353A

公开(公告)日：

2018-12-18

发明(设计)人：

刘美华林信南刘岩军

申请人：

申请人地址：

518052 广东省深圳市前海深港合作区前海一路1号A栋201室

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L2906 H01L21329

代理机构：

深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393

代理人：

夏声平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-18	公开	公开
2022-05-17	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 29/872 申请公布日:20181218
2019-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/872 申请日:20180803

共 50 条

[1]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN109065605A ,2018-12-21

[2]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN108807554B ,2018-11-13

[3]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN109037354A ,2018-12-18

[4]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

林信南 ;

刘岩军 .

中国专利 :CN109065604A ,2018-12-21

[5]

氮化镓肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘美华 ;

孙辉 ;

林信南 ;

陈建国 .

中国专利 :CN107230623A ,2017-10-03

[6]

沟槽肖特基二极管及其制作方法 [P].

余强 ;

焦伟 ;

桑雨果 ;

姚鑫 ;

张小辛 .

中国专利 :CN107195692A ,2017-09-22

[7]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

刘彦涛 ;

李彤 ;

李倩倩 ;

贾旭初 ;

吴勐 .

中国专利 :CN119364780A ,2025-01-24

[8]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

张怡 .

中国专利 :CN103839801A ,2014-06-04

[9]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN112201698B ,2024-08-16

[10]

肖特基二极管及其制作方法 [P].

倪炜江 .

中国专利 :CN112201698A ,2021-01-08

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