肖特基二极管及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202011018692.4
申请日
2020-09-24
公开(公告)号
CN112201698A
公开(公告)日
2021-01-08
发明(设计)人
倪炜江
申请人
申请人地址
241003 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园1号楼104-1
IPC主分类号
H01L29872
IPC分类号
H01L2906 H01L29417 H01L21329 H01L2134
代理机构
北京知帆远景知识产权代理有限公司 11890
代理人
崔建锋
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
肖特基二极管及其制作方法 [P]. 
刘美华 ;
林信南 ;
刘岩军 .
中国专利 :CN109065605A ,2018-12-21
[2]
肖特基二极管及其制作方法 [P]. 
刘美华 ;
林信南 ;
刘岩军 .
中国专利 :CN108807554B ,2018-11-13
[3]
肖特基二极管及其制作方法 [P]. 
刘美华 ;
林信南 ;
刘岩军 .
中国专利 :CN109037354A ,2018-12-18
[4]
肖特基二极管及其制作方法 [P]. 
张怡 .
中国专利 :CN103839801A ,2014-06-04
[5]
肖特基二极管及其制作方法 [P]. 
倪炜江 .
中国专利 :CN112201698B ,2024-08-16
[6]
肖特基二极管及其制作方法 [P]. 
刘美华 ;
林信南 ;
刘岩军 .
中国专利 :CN109037353A ,2018-12-18
[7]
肖特基二极管及其制作方法 [P]. 
刘美华 ;
林信南 ;
刘岩军 .
中国专利 :CN109065604A ,2018-12-21
[8]
SiC肖特基二极管及其制作方法 [P]. 
白云 ;
申华军 ;
汤益丹 ;
李博 ;
周静涛 ;
杨成樾 ;
刘焕明 ;
刘新宇 .
中国专利 :CN102376779A ,2012-03-14
[9]
肖特基二极管及其制作方法 [P]. 
刘彦涛 .
中国专利 :CN120076357A ,2025-05-30
[10]
肖特基二极管及其制作方法 [P]. 
柳志亨 .
中国专利 :CN102315281B ,2012-01-11