一种新型二维三元化合物的制备方法及纳米片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910616307.7

申请日：

2019-07-09

公开(公告)号：

CN110371935A

公开(公告)日：

2019-10-25

发明(设计)人：

周戬解磊宋秀峰陈翔

申请人：

申请人地址：

210094 江苏省南京市孝陵卫200号

IPC主分类号：

C01B1900

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273

代理人：

张学彪

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-25	公开	公开
2020-09-18	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):C01B 19/00 变更事项:发明人变更前:周戬解磊宋秀峰陈翔变更后:周戬解磊宋秀峰陈翔张胜利曾海波
2022-12-23	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01B 19/00 申请公布日:20191025

共 50 条

[1]

一类二维层状三元化合物及其制备方法 [P].

任文才 ;

洪艺伦 ;

刘志博 ;

王磊 ;

周天亚 ;

马伟 ;

徐川 ;

陈星秋 ;

成会明 .

中国专利 :CN113718227B ,2021-11-30

[2]

二维单晶稀土化合物纳米片的制备方法 [P].

孙皓 ;

姚世鹏 ;

吴金华 ;

甯存政 .

中国专利 :CN119640395B ,2025-07-01

[3]

二维单晶稀土化合物纳米片的制备方法 [P].

孙皓 ;

姚世鹏 ;

吴金华 ;

甯存政 .

中国专利 :CN119640395A ,2025-03-18

[4]

一种新型三元化合物InGeTe3单晶的二维超薄材料及其制备方法 [P].

解磊 ;

周戬 ;

宋秀峰 ;

陈翔 .

中国专利 :CN110342472A ,2019-10-18

[5]

一种二维非化学计量比三元过渡金属硫族化合物纳米片的制备方法 [P].

张中石 ;

孟祥敏 ;

夏静 .

中国专利 :CN119059563A ,2024-12-03

[6]

一种二维过渡金属化合物纳米片的制备方法 [P].

霍开富 ;

谭茂梁 ;

霍瑞 ;

宋豪 ;

李文海 .

中国专利 :CN118108254A ,2024-05-31

[7]

一种二维碳纳米片及大规模制备二维碳纳米片的方法 [P].

王东 ;

温广武 ;

亓帅 .

中国专利 :CN110921649A ,2020-03-27

[8]

二维材料制备方法及二维纳米片 [P].

张凯 ;

李杰 ;

陆杨 ;

俞强 .

中国专利 :CN118668176A ,2024-09-20

[9]

一种三元化合物电极材料的制备方法 [P].

徐开兵 ;

杨健茂 ;

胡俊青 .

中国专利 :CN108565133A ,2018-09-21

[10]

一种二氟三元环化合物的制备方法 [P].

华佳骏 ;

申靖远 ;

卫俊杰 ;

陈诚 ;

周勇 .

中国专利 :CN113956159A ,2022-01-21

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