包括绝缘材料及存储器单元的垂直交替层的存储器阵列以及形成包括个别包括晶体管及电容器的存储器单元的存储器阵列的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880043219.6

申请日：

2018-06-25

公开(公告)号：

CN110800107A

公开(公告)日：

2020-02-14

发明(设计)人：

D·V·N·拉马斯瓦米

申请人：

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H01L2711556

IPC分类号：

H01L2711524 H01L2711529 H01L2711582 H01L271157 H01L2711573

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王龙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/11556 申请日:20180625
2020-02-14	公开	公开

共 50 条

[1]

包括绝缘材料和存储器单元的垂直交替层的存储器阵列以及形成存储器阵列的方法 [P].

D·V·N·拉马斯瓦米 .

中国专利 :CN111052377A ,2020-04-21

[2]

包括存储器单元的存储器阵列 [P].

山·D·唐 ;

M·C·罗伯茨 ;

G·S·桑胡 .

中国专利 :CN111742409A ,2020-10-02

[3]

包括存储器单元的存储器阵列 [P].

山·D·唐 ;

M·C·罗伯茨 ;

G·S·桑胡 .

美国专利 :CN111742409B ,2024-04-09

[4]

包括存储器单元的存储器阵列 [P].

山·D·唐 ;

M·C·罗伯茨 ;

G·S·桑胡 .

美国专利 :CN118234226A ,2024-06-21

[5]

包括存储器单元串的存储器阵列和形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法 [P].

J·拉廷 .

美国专利 :CN118678677A ,2024-09-20

[6]

包括存储器单元串的存储器阵列和形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法 [P].

J·D·霍普金斯 ;

D·A·克朗皮特 ;

M·J·皮特 ;

C·R·里奇 .

中国专利 :CN113889482A ,2022-01-04

[7]

形成电容器阵列的方法、形成个别包括电容器及晶体管的存储器单元的阵列的方法、电容器阵列以及个别包括电容器及晶体管的存储器单元的阵列 [P].

D·V·N·拉马斯瓦米 .

中国专利 :CN110192278A ,2019-08-30

[8]

存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法 [P].

B·布尚 ;

D·戴寇克 ;

S·克里希南 ;

L·E·维博沃 .

中国专利 :CN112802847A ,2021-05-14

[9]

存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法 [P].

B·布尚 ;

D·戴寇克 ;

S·克里希南 ;

L·E·维博沃 .

美国专利 :CN112802847B ,2024-10-15

[10]

存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法 [P].

B·布尚 ;

D·戴寇克 ;

S·克里希南 ;

L·E·维博沃 .

美国专利 :CN119212388A ,2024-12-27

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