包括绝缘材料和存储器单元的垂直交替层的存储器阵列以及形成存储器阵列的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880057380.9

申请日：

2018-08-31

公开(公告)号：

CN111052377A

公开(公告)日：

2020-04-21

发明(设计)人：

D·V·N·拉马斯瓦米

申请人：

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H01L2707

IPC分类号：

H01L2702 H01L2711556 H01L2711582 H01L27108

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王龙

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/07 申请日:20180831
2020-04-21	公开	公开

共 50 条

[1]

包括绝缘材料及存储器单元的垂直交替层的存储器阵列以及形成包括个别包括晶体管及电容器的存储器单元的存储器阵列的方法 [P].

D·V·N·拉马斯瓦米 .

中国专利 :CN110800107A ,2020-02-14

[2]

存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法 [P].

B·布尚 ;

D·戴寇克 ;

S·克里希南 ;

L·E·维博沃 .

中国专利 :CN112802847A ,2021-05-14

[3]

存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法 [P].

B·布尚 ;

D·戴寇克 ;

S·克里希南 ;

L·E·维博沃 .

美国专利 :CN112802847B ,2024-10-15

[4]

存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法 [P].

B·布尚 ;

D·戴寇克 ;

S·克里希南 ;

L·E·维博沃 .

美国专利 :CN119212388A ,2024-12-27

[5]

包括存储器单元的存储器阵列 [P].

山·D·唐 ;

M·C·罗伯茨 ;

G·S·桑胡 .

中国专利 :CN111742409A ,2020-10-02

[6]

包括存储器单元的存储器阵列 [P].

山·D·唐 ;

M·C·罗伯茨 ;

G·S·桑胡 .

美国专利 :CN111742409B ,2024-04-09

[7]

包括存储器单元的存储器阵列 [P].

山·D·唐 ;

M·C·罗伯茨 ;

G·S·桑胡 .

美国专利 :CN118234226A ,2024-06-21

[8]

包括存储器单元串的存储器阵列和形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法 [P].

J·拉廷 .

美国专利 :CN118678677A ,2024-09-20

[9]

存储器单元、存储器阵列以及形成存储器阵列的方法 [P].

金昌汉 .

中国专利 :CN111418065A ,2020-07-14

[10]

存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法 [P].

J·D·霍普金斯 ;

徐丽芳 .

美国专利 :CN119835944A ,2025-04-15

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