共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
半导体结构的形成方法以及掩膜版
被引：0
申请号：
CN202011137109.1
申请日：
2020-10-22
公开(公告)号：
CN114388430A
公开(公告)日：
2022-04-22
发明(设计)人：
金吉松
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
IPC主分类号：
H01L21768
IPC分类号：
代理机构：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人：
高静
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-05-10 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20201022 |
| 2022-04-22 | 公开 | 公开 |